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IXKC40N60C	文件：57.6 Kbytes Page：2 Pages	CoolMOS Power MOSFET ISOPLUS220 Features ●SiliconchiponDirect-Copper-Bondsubstrate -Highpowerdissipation -Isolatedmountingsurface -2500Velectricalisolation ●2NDgenerationCoolMOSpowerMOSFET -Highblockingcapability -Lowonresistance -Avalancheratedforunclampedinductive	IXYS IXYS Corporation	IXYS
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IXKR40N60	文件：46.82 Kbytes Page：2 Pages	CoolMOSPowerMOSFETinISOPLUS247Package CoolMOSPowerMOSFETinISOPLUS247™Package N-ChannelEnhancementMode LowRDSon,HighVDSSMOSFET PackagewithElectricallyIsolatedBase Features ●ISOPLUS247packagewithDCBBase -Electricalisolationtowardstheheatsink -Lowcouplingcapacitancetotheheatsinkfor	IXYS IXYS Corporation	IXYS
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IXSH40N60	文件：91.96 Kbytes Page：6 Pages	LowVCE(sat)IGBT,HighSpeedIGBT ShortCircuitSOACapability. 40N60,40N60A	IXYS IXYS Corporation	IXYS
IXSH40N60A	文件：323.71 Kbytes Page：2 Pages	IGBT FEATURES ·LowSaturationVoltage:VCE(sat)=3.0VMax.@IC=40A ·Highcurrenthandlingcapability ·LowPowerLoss APPLICATIONS ·ACmotorspeedcontrol ·Uninterruptiblepowersupplies(UPS) ·Welding	ISCInchange Semiconductor Company Limited 无锡固电无锡固电半导体股份有限公司	ISC
IXSH40N60A	文件：91.96 Kbytes Page：6 Pages	LowVCE(sat)IGBT,HighSpeedIGBT ShortCircuitSOACapability. 40N60,40N60A	IXYS IXYS Corporation	IXYS
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详细参数

型号：
IXKC40N60C
功能描述：
MOSFET 28 Amps 600V 0.1 Rds
RoHS：
否
制造商：
STMicroelectronics
晶体管极性：
N-Channel
汲极/源极击穿电压：
650 V
闸/源击穿电压：
25 V
漏极连续电流：
130 A 电阻汲极/源极
RDS（导通）：
0.014 Ohms
配置：
Single
安装风格：
Through Hole
封装/箱体：
Max247
封装：
Tube

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