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IXFR24N90P	文件：121.42 Kbytes Page：4 Pages	Polar Power MOSFET HiPerFET 文件：121.42 Kbytes 页数：4 Pages	IXYS 艾赛斯	IXYS
IXFT24N90P	文件：128.389 Kbytes Page：4 Pages	Polar Power MOSFET HiPerFET 文件：128.389 Kbytes 页数：4 Pages	IXYS 艾赛斯	IXYS
IXFX24N90	文件：367.43 Kbytes Page：2 Pages	isc N-Channel MOSFET Transistor FEATURES ·Drain Current –ID=24A@ TC=25℃ ·Drain Source Voltage- : VDSS=900V(Min) ·Static Drain-Source On-Resistance : RDS(on) =0.45Ω(Max)@VGS= 10V ·100 avalanche tested ·Minimum Lot-to-Lot variations for robust device performance and reliable operation DESCRIPTION ·motor drive, DC-DC conv 文件：367.43 Kbytes 页数：2 Pages	ISC 无锡固电	ISC
IXFX24N90Q	文件：87.15 Kbytes Page：2 Pages	HiPerFET Power MOSFETs Q-CLASS HiPerFET Power MOSFETs Q-CLASS Single MOSFET Die N-Channel Enhancement Mode Avalanche Rated, Low Qg, High dv/dt, Low trr Applications • DC-DC converters • Battery chargers • Switched-mode and resonant-mode power supplies • DC choppers • AC motor control • Temperature and lighting control 文件：87.15 Kbytes 页数：2 Pages	IXYS 艾赛斯	IXYS

详细参数

型号：
IXFR24N90P
功能描述：
MOSFET N-CH 900V 13A ISOPLUS247
RoHS：
是
类别：
分离式半导体产品 >> FET - 单
系列：
Polar™ HiPerFET™
标准包装：
1,000
系列：
MESH OVERLAY™ FET
型：
MOSFET N 通道，金属氧化物 FET
特点：
逻辑电平门
漏极至源极电压(Vdss)：
200V 电流 - 连续漏极(Id) @ 25°
C：
18A 开态Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25°
C：
180 毫欧 @ 9A，10V Id 时的
Vgs(th)（最大）：
4V @ 250µA 闸电荷(Qg) @
Vgs：
72nC @ 10V 输入电容(Ciss) @
Vds：
1560pF @ 25V 功率 -
最大：
40W
安装类型：
通孔
封装/外壳：
TO-220-3 整包
供应商设备封装：
TO-220FP
包装：
管件

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