isc N-Channel MOSFET Transistor

FEATURES ·Drain Current -ID= 10A@ TC=25℃ ·Drain Source Voltage -VDSS= 1000V(Min) ·Static Drain-Source On-Resistance -RDS(on) = 1.2Ω(Max)@VGS= 10V DESCRIPTION ·Motor drive, DC-DC converter, power switch and solenoid drive.

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ISC

无锡固电

Advance Technical Information

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IXYS

艾赛斯

N通道HiPerFET

• 每个硅片面积的Rdson较低\n• 较低的Qg和Qgd\n• 卓越的dV/dt性能\n• 高速开关\n• 快速本征整流器\n• 较低的本征栅极电阻\n• 较高的雪崩能量性能\n• 卓越的热性能;

Littelfuse

力特

MOSFET N-CH 1000V ISOPLUS247

Littelfuse

力特

MOSFET N-CH ISOPLUS247

Littelfuse

力特

Package：TO-247-3；包装：管件 类别：分立半导体产品 晶体管 - FET，MOSFET - 单个 描述：MOSFET N-CH 1000V ISOPLUS247

IXYS

艾赛斯

包装：卷带（TR） 类别：分立半导体产品 晶体管 - FET，MOSFET - 单个 描述：MOSFET N-CH ISOPLUS247

IXYS

艾赛斯