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ISB3009	文件：312.09 Kbytes Page：3 Pages	Silicon NPN Power Transistor DESCRIPTION ·Collector-EmitterBreakdownVoltage -V(BR)CEO=60V(Min) ·Collector-EmitterSaturationVoltage -VCE(sat)=0.3V(Max)@IC=1A APPLICATIONS ·Designedforpoweramplifier,highspeedswitchingand regulatedpowersupplyapplications.	ISCInchange Semiconductor Company Limited 无锡固电无锡固电半导体股份有限公司	ISC
3009	文件：133.89 Kbytes Page：1 Pages	RectangularTrimpot짰TrimmingPotentiometer	BournsBourns Inc. 伯恩斯（邦士）	Bourns
3009	文件：135.79 Kbytes Page：1 Pages	LargeDomePlugs	Heyco Heyco	Heyco
3009A	文件：1.05773 Mbytes Page：22 Pages	300VPower-LimitedTrayCables??Overview	etc2List of Unclassifed Manufacturers etc2未分类制造商	etc2
3009-C	文件：77.68 Kbytes Page：1 Pages	KNOB	etc2List of Unclassifed Manufacturers etc2未分类制造商	etc2
3009-D	文件：75.29 Kbytes Page：1 Pages	KNOB	etc2List of Unclassifed Manufacturers etc2未分类制造商	etc2
3009-K	文件：77.68 Kbytes Page：1 Pages	KNOB	etc2List of Unclassifed Manufacturers etc2未分类制造商	etc2
3009-U	文件：75.29 Kbytes Page：1 Pages	KNOB	etc2List of Unclassifed Manufacturers etc2未分类制造商	etc2
ABB3009	文件：90.06 Kbytes Page：5 Pages	HighSpeedTranslatorBuffertoLVDS	ABRACONAbracon Corporation 阿布雷肯	ABRACON
ABB3009QC	文件：90.06 Kbytes Page：5 Pages	HighSpeedTranslatorBuffertoLVDS	ABRACONAbracon Corporation 阿布雷肯	ABRACON
ABB3009QC-T	文件：90.06 Kbytes Page：5 Pages	HighSpeedTranslatorBuffertoLVDS	ABRACONAbracon Corporation 阿布雷肯	ABRACON
ABB3009SC	文件：90.06 Kbytes Page：5 Pages	HighSpeedTranslatorBuffertoLVDS	ABRACONAbracon Corporation 阿布雷肯	ABRACON
ABB3009SC-T	文件：90.06 Kbytes Page：5 Pages	HighSpeedTranslatorBuffertoLVDS	ABRACONAbracon Corporation 阿布雷肯	ABRACON
AN3009	文件：552.26 Kbytes Page：36 Pages	HowtodesignatransitionmodePFCpre-regulatorusingtheL6564	STMICROELECTRONICSSTMicroelectronics 意法半导体意法半导体（ST）集团	STMICROELECTRONICS
AN3009	文件：37.08 Kbytes Page：2 Pages	S-ParameterS2PFileFormat	MA-COM M/A-COM Technology Solutions, Inc.	MA-COM
AP3009	文件：225.26 Kbytes Page：13 Pages	WHITELEDSTEP-UPCONVERTER GeneralDescription TheAP3009isaninductor-basedDC/DCconverterdesignedtodriveuptosixwhiteLEDsinseriesforbacklight.OnlyonefeedbackresistorisneededtocontroltheLEDcurrentandobtainsatisfiedbrightness. Features •InherentlyUniformLEDCurrent •HighEfficiency:	BCDSEMIBCD Semiconductor Manufacturing Limited 新进半导体上海新进半导体制造有限公司	BCDSEMI
AP3009	文件：175.49 Kbytes Page：2 Pages	TO-8CASCADABLEAP3009AMPLIFIER 20TO3000MHzTO-8CASCADABLEAMPLIFIER TypicalValuesAP3009 HighOuputPower.................................+27.5dBm UltraBroadBandwidth.............................20-3000MHz HighThirdOrderI.P.....	TELEDYNE TELEDYNE	TELEDYNE
APM3009N	文件：716.55 Kbytes Page：12 Pages	N-ChannelEnhancementModeMOSFET Features •30V/70A,RDS(ON)=7mΩ(typ.)@VGS=10V RDS(ON)=11mΩ(typ.)@VGS=4.5V •SuperHighDenseAdvancedCellDesignforExtremelyLowRDS(ON) •ReliableandRugged •TO-220,TO-252andTO-263Packages	ANPECAnpec Electronics Corp 茂达电子	ANPEC
APM3009NFC-TR	文件：716.55 Kbytes Page：12 Pages	N-ChannelEnhancementModeMOSFET Features •30V/70A,RDS(ON)=7mΩ(typ.)@VGS=10V RDS(ON)=11mΩ(typ.)@VGS=4.5V •SuperHighDenseAdvancedCellDesignforExtremelyLowRDS(ON) •ReliableandRugged •TO-220,TO-252andTO-263Packages	ANPECAnpec Electronics Corp 茂达电子	ANPEC
APM3009NFC-TU	文件：716.55 Kbytes Page：12 Pages	N-ChannelEnhancementModeMOSFET Features •30V/70A,RDS(ON)=7mΩ(typ.)@VGS=10V RDS(ON)=11mΩ(typ.)@VGS=4.5V •SuperHighDenseAdvancedCellDesignforExtremelyLowRDS(ON) •ReliableandRugged •TO-220,TO-252andTO-263Packages	ANPECAnpec Electronics Corp 茂达电子	ANPEC

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