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IRLS530	文件：259.81 Kbytes Page：7 Pages	Advanced Power MOSFET FEATURES ● Avalanche Rugged Technology ● Rugged Gate Oxide Technology ● Lower Input Capacitance ● Improved Gate Charge ● Extended Safe Operating Area ● Lower Leakage Current : 10µA (Max.) @ VDS = 100V ● Lower RDS(ON) : 0.101Ω (Typ.) 文件：259.81 Kbytes 页数：7 Pages	FAIRCHILD 仙童半导体	FAIRCHILD
IRLS530	文件：300 bytes Page：1 Pages	Advanced Power MOSFET	ONSEMI 安森美半导体	ONSEMI
IRLS530A	文件：259.81 Kbytes Page：7 Pages	Advanced Power MOSFET FEATURES ● Avalanche Rugged Technology ● Rugged Gate Oxide Technology ● Lower Input Capacitance ● Improved Gate Charge ● Extended Safe Operating Area ● Lower Leakage Current : 10µA (Max.) @ VDS = 100V ● Lower RDS(ON) : 0.101Ω (Typ.) 文件：259.81 Kbytes 页数：7 Pages	FAIRCHILD 仙童半导体	FAIRCHILD
IRLS530A	文件：271.41 Kbytes Page：2 Pages	isc N-Channel MOSFET Transistor 文件：271.41 Kbytes 页数：2 Pages	ISC 无锡固电	ISC

供应商	型号	品牌	批号	封装	库存	备注	价格
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更多IRLS530供应商更新时间2026-3-9 14:00:00