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IRLU3410	文件：158.62 Kbytes Page：10 Pages	HEXFET Power MOSFET 文件：158.62 Kbytes 页数：10 Pages	IRF	IRF
IRLU3410	文件：247.45 Kbytes Page：2 Pages	丝印：IPAK；Package：TO-251；isc N-Channel MOSFET Transistor 文件：247.45 Kbytes 页数：2 Pages	ISC 无锡固电	ISC
IRLU3410	文件：921.5 Kbytes Page：10 Pages	Logic Level Gate Drive 文件：921.5 Kbytes 页数：10 Pages	KERSEMI	KERSEMI
IRLU3410	文件：300 bytes Page：1 Pages	采用 I-Pak 封装的 100V 单 N 沟道功率 MOSFET \n优势:\n• 符合 RoHS\n• 低 RDS(on)\n• 具有业内先进的品质\n• 动态的dv/dt额定值\n• 快速开关\n• 完全雪崩额定值\n• 175°C 的工作温度\n• 逻辑电平;	Infineon 英飞凌	Infineon
IRLU3410PBF	文件：1.01315 Mbytes Page：7 Pages	N-Channel 100 V (D-S) MOSFET 文件：1.01315 Mbytes 页数：7 Pages	VBSEMI 微碧半导体	VBSEMI
IRLU3410PBF	文件：290.17 Kbytes Page：11 Pages	HEXFET짰 Power MOSFET 文件：290.17 Kbytes 页数：11 Pages	IRF	IRF

技术参数

OPN：
IRLU3410PBF
Qualification：
Non-Automotive
Package name：
IPAK
VDS max：
100 V
RDS (on) @10V max：
105 mΩ
RDS (on) @4.5V max：
155 mΩ
ID @25°C max：
17 A
QG typ @4.5V：
22.7 nC
Polarity：
N
VGS(th) min：
1 V
VGS(th) max：
2 V
VGS(th)：
1.5 V
Technology：
IR MOSFET™

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