| 选定 | 供应商 | 型号 | 品牌封装 | 数量 | 批号 | 价格 | 说明/货期/品质/优势 | 询价 |
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IRN/A |
70000 |
2025+ |
柒号只做原装 现货价秒杀全网 |
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4年
留言
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IRTO-251 |
8575 |
2550+ |
只做原装正品现货或订货假一赔十! |
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13年
留言
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IRTO-251 |
9850 |
2450+ |
只做原装正品现货或订货假一赔十! |
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VISHAYN/A |
70000 |
2025+ |
柒号只做原装 现货价秒杀全网 |
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8年
留言
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IRTO-251 |
890 |
04+ |
一级代理,专注军工、汽车、医疗、工业、新能源、电力 |
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16年
留言
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VishayTO-251 |
38900 |
20+ |
原装优势主营型号-可开原型号增税票 |
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13年
留言
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IRTO-251 |
80000 |
24+ |
只做自己库存 全新原装进口正品假一赔百 可开13%增 |
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6年
留言
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IRTO-251 |
132 |
23+ |
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16年
留言
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IRTO-251 |
5425 |
2026+ |
全新原厂原装产品、公司现货销售 |
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10年
留言
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IRTO-220 |
10000 |
25+ |
专做原装正品,假一罚百! |
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1年
留言
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IRTO-251 |
8109 |
26+ |
电子元器件采购降本 30%!砍掉中间差价! |
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6年
留言
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IRTO-251 |
8109 |
23+ |
全新原装正品现货,支持订货 |
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14年
留言
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IRTO-251 |
35890 |
26+ |
代理全系列销售,全新原装正品,价格优势,长期供应,量大可订 |
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13年
留言
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IRTO-251 |
8650 |
23+ |
受权代理!全新原装现货特价热卖! |
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17年
留言
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IRTO-251 |
422 |
24+ |
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19年
留言
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IR |
67 |
25+ |
公司优势库存 热卖中!! |
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7年
留言
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VISHAY-威世TO-251-3 |
9328 |
24+25+/26+27+ |
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一一有问必回一特殊渠道一有长期订货一备货HK仓库 |
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14年
留言
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IRTO-220 |
6200 |
17+ |
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12年
留言
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IR/VISHAYTO-251 |
12300 |
26+ |
独立分销商 公司只做原装 诚心经营 免费试样正品保证 |
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1年
留言
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IRTO-251 |
8109 |
26+ |
原厂渠道 可含税出货,支持一站式配单 |
IRLU014采购信息快速发布,第一时间取得供应商价格!
IRLU014图片
IRLU014PBF价格
IRLU014PBF价格:¥1.6489品牌:VISHAY
生产厂家品牌为VISHAY的IRLU014PBF多少钱,想知道IRLU014PBF价格是多少?参考价:¥1.6489。这里提供2026年最近一周走势,供应商今日竞价,代理商今日出价,IRLU014PBF批发价格及采购报价,IRLU014PBF销售排行榜及行情走势,IRLU014PBF报价。
IRLU014中文资料Alldatasheet PDF
更多IRLU014功能描述:MOSFET N-Chan 60V 7.7 Amp RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS(导通):0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube
IRLU014N功能描述:MOSFET N-CH 55V 10A I-PAK RoHS:否 类别:分离式半导体产品 >> FET - 单 系列:HEXFET® 标准包装:1,000 系列:MESH OVERLAY™ FET 型:MOSFET N 通道,金属氧化物 FET 特点:逻辑电平门 漏极至源极电压(Vdss):200V 电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C:18A 开态Rds(最大)@ Id, Vgs @ 25° C:180 毫欧 @ 9A,10V Id 时的 Vgs(th)(最大):4V @ 250µA 闸电荷(Qg) @ Vgs:72nC @ 10V 输入电容(Ciss) @ Vds:1560pF @ 25V 功率 - 最大:40W 安装类型:通孔 封装/外壳:TO-220-3 整包 供应商设备封装:TO-220FP 包装:管件
IRLU014NHR制造商:International Rectifier 功能描述:TRANS MOSFET N-CH 55V 10A 3PIN IPAK - Bulk
IRLU014NPBF功能描述:MOSFET 55V 1 N-CH HEXFET 140mOhms 5.3nC RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS(导通):0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube
IRLU014PBF功能描述:MOSFET N-Chan 60V 7.7 Amp RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS(导通):0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube




























