IRLU014中文资料下载批发供应威世Vishay-114ic电子网

首页 >IRLU014>规格书列表

型号	下载订购	功能描述	制造商上传企业	LOGO
IRLU014	文件：2.16738 Mbytes Page：8 Pages	Power MOSFET DESCRIPTION Third generation power MOSFETs from Vishay provide the designer with the best combination of fast switching, ruggedized device design, low on-resistance and cost-effectiveness. The DPAK is designed for surface mounting using vapor phase, infrared, or wave soldering techniques. The st 文件：2.16738 Mbytes 页数：8 Pages	VishayVishay Siliconix 威世威世科技公司	Vishay
IRLU014	文件：822.02 Kbytes Page：13 Pages	Power MOSFET FEATURES • Dynamic dV/dt rating • Surface-mount (IRLR014, SiHLR014) • Straight lead (IRLU014, SiHLU014) • Available in tape and reel • Logic-level gate drive • RDS(on) specified at VGS = 4 V and 5 V • Fast switching • Material categorization: for definitions of compliance please see www.v 文件：822.02 Kbytes 页数：13 Pages	VishayVishay Siliconix 威世威世科技公司	Vishay
IRLU014	文件：180.89 Kbytes Page：6 Pages	HEXFET POWER MOSFET 文件：180.89 Kbytes 页数：6 Pages	IRF	IRF
IRLU014	文件：2.24711 Mbytes Page：10 Pages	Power MOSFET 文件：2.24711 Mbytes 页数：10 Pages	VishayVishay Siliconix 威世威世科技公司	Vishay
IRLU014	文件：2.24711 Mbytes Page：10 Pages	Power MOSFET 文件：2.24711 Mbytes 页数：10 Pages	VishayVishay Siliconix 威世威世科技公司	Vishay
IRLU014	文件：300 bytes Page：1 Pages	Power MOSFET Dynamic dV/dt rating\nSurface-mount (IRLR014, SiHLR014)\nStraight lead (IRLU014, SiHLU014);	Vishay 威世	Vishay
IRLU014	文件：300 bytes Page：1 Pages	HEXFET POWER MOSFET	Infineon 英飞凌	Infineon
IRLU014N	文件：110.86 Kbytes Page：10 Pages	HEXFET Power MOSFET Description Fifth Generation HEXFETs from International Rectifier utilize advanced processing techniques to achieve the lowest possible on-resistance per silicon area. This benefit, combined with the fast switching speed and ruggedized device design that HEXFET Power MOSFETs are well known for, p 文件：110.86 Kbytes 页数：10 Pages	IRF	IRF
IRLU014NPBF	文件：281.42 Kbytes Page：11 Pages	HEXFET POWER MOSFET ( VDSS = 55V , RDS(on) = 0.14廓 , ID = 10A ) Description Fifth Generation HEXFETs from International Rectifier utilize advanced processing techniques to achieve the lowest possible on-resistance per silicon area. This benefit, combined with the fast switching speed and ruggedized device design that HEXFET Power MOSFETs are well known for, p 文件：281.42 Kbytes 页数：11 Pages	IRF	IRF
IRLU014PBF	文件：2.16738 Mbytes Page：8 Pages	Power MOSFET DESCRIPTION Third generation power MOSFETs from Vishay provide the designer with the best combination of fast switching, ruggedized device design, low on-resistance and cost-effectiveness. The DPAK is designed for surface mounting using vapor phase, infrared, or wave soldering techniques. The st 文件：2.16738 Mbytes 页数：8 Pages	VishayVishay Siliconix 威世威世科技公司	Vishay

详细参数

型号：
IRLU014
功能描述：
MOSFET N-Chan 60V 7.7 Amp
RoHS：
否
制造商：
STMicroelectronics
晶体管极性：
N-Channel
汲极/源极击穿电压：
650 V
闸/源击穿电压：
25 V
漏极连续电流：
130 A 电阻汲极/源极
RDS（导通）：
0.014 Ohms
配置：
Single
安装风格：
Through Hole
封装/箱体：
Max247
封装：
Tube

供应商	型号	品牌	批号	封装	库存	备注	价格
深圳市科翼源电子有限公司	IRLU014	IR	23+	TO-251	2501	原厂原装正品	询价
柒号芯城电子商务(深圳)有限公司	IRLU014	IR	2024+	N/A	70000	柒号只做原装现货价秒杀全网	询价
深圳市科恒伟业电子有限公司	IRLU014	IR	2450+	TO-251	9850	只做原装正品现货或订货假一赔十!	询价
深圳市一线半导体有限公司	IRLU014	IR	24+	TO-251	422		询价
齐创科技(上海,北京,青岛)有限公司	IRLU014	VIS	23+	TO-251	10000	原装正品,假一罚十	询价
深圳市恒创达实业有限公司	IRLU014	IR	17+	TO-220	6200		询价
深圳市勤思达科技有限公司	IRLU014	IR	12+	TO-251	15000	全新原装,绝对正品,公司现货供应。	询价
深圳市华来深电子有限公司	IRLU014	IR	23+	TO-251	8650	受权代理!全新原装现货特价热卖!	询价
深圳市振宏微科技有限公司	IRLU014	IR	23+	TO-220	10000	专做原装正品,假一罚百!	询价
深圳市华斯顿科技有限公司	IRLU014	IR原装	25+23+	TO-251	22916	绝对原装正品全新进口深圳现货	询价

更多IRLU014供应商更新时间2025-12-23 9:41:00

客户服务网站合作

Tel：0755 8246 9263
Email：kf＠114ic.com
投诉建议：kf@114ic.com

Copyright © 2003-2025 114ic.com All Rights Reserved 粤ICP备05011613号粤公网安备 44030402000933号