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IRLU2703	文件：173.68 Kbytes Page：10 Pages	POWER MOSFET Description Fifth Generation HEXFETs from International Rectifier utilize advanced processing techniques to achieve the lowest possible on-resistance per silicon area. This benefit, combined with the fast switching speed and ruggedized device design that HEXFET Power MOSFETs are well kn 文件：173.68 Kbytes 页数：10 Pages	IRF	IRF
IRLU2703	文件：247.13 Kbytes Page：2 Pages	丝印：IPAK；Package：TO-251；isc N-Channel MOSFET Transistor 文件：247.13 Kbytes 页数：2 Pages	ISC 无锡固电	ISC
IRLU2703	文件：300 bytes Page：1 Pages	采用 I-Pak 封装的 30V 单 N 通道 HEXFET 功率 MOSFET	Infineon 英飞凌	Infineon
IRLU2703PBF	文件：319.33 Kbytes Page：11 Pages	Logic-Level Gate Drive Description Fifth Generation HEXFETs from International Rectifier utilize advanced processing techniques to achieve the lowest possible on-resistance per silicon area. This benefit, combined with the fast switching speed and ruggedized device design that HEXFET Power MOSFETs are well known f 文件：319.33 Kbytes 页数：11 Pages	IRF	IRF
IRLU2703PBF	文件：319.33 Kbytes Page：11 Pages	Logic-Level Gate Drive Description Fifth Generation HEXFETs from International Rectifier utilize advanced processing techniques to achieve the lowest possible on-resistance per silicon area. This benefit, combined with the fast switching speed and ruggedized device design that HEXFET Power MOSFETs are well known f 文件：319.33 Kbytes 页数：11 Pages	IRF	IRF

技术参数

ID (@ TC=100°C) max：
14 A
ID (@ TC=25°C) max：
22 A
Ptotmax：
38 W
Qgd：
6.2 nC
QG：
10 nC
RDS (on)max：
45 mΩ
RDS (on)(@4.5V) max：
65 mΩ
RDS (on)(@10V) max：
45 mΩ
RthJCmax：
3.3 K/W
Tjmax：
175 °C
VDSmax：
30 V
VGSmax：
16 V
Mounting：
THT
Package：
IPAK (TO-251)
Polarity：
N

供应商	型号	品牌	批号	封装	库存	备注	价格
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更多IRLU2703供应商更新时间2026-4-18 14:01:00

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