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IRLU2703规格书详情
Description
Fifth Generation HEXFETs from International Rectifier utilize advanced processing techniques to achieve the lowest possible on-resistance per silicon area. This benefit, combined with the fast switching speed and ruggedized device design that HEXFET Power MOSFETs are well known for, provides the designer with an extremely efficient device for use in a wide variety of applications.
Logic-Level Gate Drive
Ultra Low On-Resistance
Surface Mount (IRLR2703)
Straight Lead (IRLU2703)
Advanced Process Technology
Fast Switching
Fully Avalanche Rated
产品属性
- 型号：
IRLU2703
- 功能描述：
MOSFET N-CH 30V 23A I-PAK
- RoHS：
否
- 类别：
分离式半导体产品 >> FET - 单
- 系列：
HEXFET®
- 标准包装：
1,000
- 系列：
MESH OVERLAY™ FET
- 型：
MOSFET N 通道，金属氧化物 FET
- 特点：
逻辑电平门
- 漏极至源极电压(Vdss)：
200V 电流 - 连续漏极(Id) @ 25°
- C：
18A 开态Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25°
- C：
180 毫欧 @ 9A，10V Id 时的
- Vgs(th)（最大）：
4V @ 250µA 闸电荷(Qg) @
- Vgs：
72nC @ 10V 输入电容(Ciss) @
- Vds：
1560pF @ 25V 功率 -
- 最大：
40W
- 安装类型：
通孔
- 封装/外壳：
TO-220-3 整包
- 供应商设备封装：
TO-220FP
- 包装：
管件
| 供应商 | 型号 | 品牌 | 批号 | 封装 | 库存 | 备注 | 价格 |
|---|---|---|---|---|---|---|---|
ir |
24+ |
500000 |
行业低价,代理渠道 |
询价 | |||
ir |
24+ |
N/A |
6980 |
原装现货,可开13%税票 |
询价 | ||
IR |
2016+ |
TO-251 |
6528 |
房间原装进口现货假一赔十 |
询价 | ||
IR |
21+ |
TO251 |
12588 |
原装正品,自己库存 假一罚十 |
询价 | ||
IR |
23+ |
TO-251 |
35890 |
询价 | |||
IR |
23+ |
I-PAK |
90000 |
一定原装正品/香港现货 |
询价 | ||
Infineon Technologies |
22+ |
TO2513 Short Leads IPak TO251A |
9000 |
原厂渠道,现货配单 |
询价 | ||
IR |
24+ |
TO-251 |
164 |
原装现货假一赔十 |
询价 | ||
ir |
2023+ |
原厂封装 |
50000 |
原装现货 |
询价 | ||
IR |
23+ |
TO-251 |
11846 |
一级代理商现货批发,原装正品,假一罚十 |
询价 |
