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IRLU3303	文件：139.15 Kbytes Page：10 Pages	Power MOSFET Description FifthGenerationHEXFETsfromInternationalRectifierutilizeadvancedprocessingtechniquestoachievethelowestpossibleon-resistancepersiliconarea.Thisbenefit,combinedwiththefastswitchingspeedandruggedizeddevicedesignthatHEXFETPowerMOSFETsarewellknownfor,	IRF International Rectifier	IRF
IRLU3303	文件：247.04 Kbytes Page：2 Pages	Marking：IPAK；Package：TO-251；isc N-Channel MOSFET Transistor	ISCInchange Semiconductor Company Limited 无锡固电无锡固电半导体股份有限公司	ISC
IRLU3303PBF	文件：307.21 Kbytes Page：10 Pages	HEXFET Power MOSFET Description FifthGenerationHEXFETsfromInternationalRectifierutilizeadvancedprocessingtechniquestoachievethelowestpossibleon-resistancepersiliconarea.Thisbenefit,combinedwiththefastswitchingspeedandruggedizeddevicedesignthatHEXFETPowerMOSFETsarewell	IRF International Rectifier	IRF
J3303	文件：579.12 Kbytes Page：5 Pages	SiliconP-channelMOSFET SiliconP-channelMOSFET Forswitchingcircuits Overview FJ330301isP-channelsmallsignalMOSFETemployedsmallsizesurfacemountingpackage. Features ●Lowdrain-sourceONresistance:RDS(on)typ.=4Ω(VGS=-4.0V) ●High-speedswitching ●Smallsizesurfacemountingpackage:SSSMi	PanasonicPanasonic Semiconductor 松下松下电器	Panasonic
J3303	文件：244.69 Kbytes Page：4 Pages	N-CHANNELENHANCEMENTMODEPOWERMOSFET	GTMGTM CORPORATION 勤益投资控股勤益投资控股股份有限公司	GTM
KA3303	文件：84.69 Kbytes Page：10 Pages	QuadOperationalAmplifier Description TheKA3303seriesisamonolithicQuadoperationalamplifierconsistingoffourindependentamplifiers.Thedevicehashighgain,internallyfrequency,compensatedoperationalamplifiersdesignedtooperatefromasinglepowersupplyordualpowersuppliesoverawiderangeofvoltage	FairchildFairchild Semiconductor 仙童半导体飞兆/仙童半导体公司	Fairchild
KA3303D	文件：84.69 Kbytes Page：10 Pages	QuadOperationalAmplifier Description TheKA3303seriesisamonolithicQuadoperationalamplifierconsistingoffourindependentamplifiers.Thedevicehashighgain,internallyfrequency,compensatedoperationalamplifiersdesignedtooperatefromasinglepowersupplyordualpowersuppliesoverawiderangeofvoltage	FairchildFairchild Semiconductor 仙童半导体飞兆/仙童半导体公司	Fairchild
KNG3303A	文件：308.33 Kbytes Page：5 Pages	90A竊?0VN-CHANNELMOSFET	KIAKIA Semiconductor Technology 可易亚半导体广东可易亚半导体科技有限公司	KIA
KNX3303A	文件：308.33 Kbytes Page：5 Pages	90A竊?0VN-CHANNELMOSFET	KIAKIA Semiconductor Technology 可易亚半导体广东可易亚半导体科技有限公司	KIA
KNY3303A	文件：308.33 Kbytes Page：5 Pages	90A竊?0VN-CHANNELMOSFET	KIAKIA Semiconductor Technology 可易亚半导体广东可易亚半导体科技有限公司	KIA

详细参数

型号：
IRLU3303
功能描述：
MOSFET N-CH 30V 35A I-PAK
RoHS：
否
类别：
分离式半导体产品 >> FET - 单
系列：
HEXFET®
标准包装：
1,000
系列：
MESH OVERLAY™ FET
型：
MOSFET N 通道，金属氧化物 FET
特点：
逻辑电平门
漏极至源极电压(Vdss)：
200V 电流 - 连续漏极(Id) @ 25°
C：
18A 开态Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25°
C：
180 毫欧 @ 9A，10V Id 时的
Vgs(th)（最大）：
4V @ 250µA 闸电荷(Qg) @
Vgs：
72nC @ 10V 输入电容(Ciss) @
Vds：
1560pF @ 25V 功率 -
最大：
40W
安装类型：
通孔
封装/外壳：
TO-220-3 整包
供应商设备封装：
TO-220FP
包装：
管件

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