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IRLZ34	文件：62.94 Kbytes Page：7 Pages	N-channel enhancement mode Logic level TrenchMOS transistor GENERAL DESCRIPTION N-channel enhancement mode logic level field-effect power transistor in a plastic envelope using ’trench’ technology. The device features very low on-state resistance and has integral zener diodes giving ESD protection up to 2kV. It is intended for use in switched mode power 文件：62.94 Kbytes 页数：7 Pages	PHI 飞利浦	PHI
IRLZ34	文件：1.46024 Mbytes Page：8 Pages	Power MOSFET DESCRIPTION Third generation Power MOSFETs from Vishay provide the designer with the best combination of fast switching, ruggedized device design, low on-resistance and cost-effectiveness. FEATURES • Dynamic dV/dt Rating • Logic-Level Gate Drive • RDS(on) Specified at VGS = 4 V an 文件：1.46024 Mbytes 页数：8 Pages	VishayVishay Siliconix 威世威世科技公司	Vishay
IRLZ34	文件：839.71 Kbytes Page：9 Pages	Power MOSFET FEATURES • Dynamic dV/dt rating • Logic-level gate drive • RDS(on) specified at VGS = 4 V and 5 V • 175 °C operating temperature • Fast switching • Ease of paralleling • Simple drive requirements • Material categorization: for definitions of compliance please see www.vishay.com/doc?99912 文件：839.71 Kbytes 页数：9 Pages	VishayVishay Siliconix 威世威世科技公司	Vishay
IRLZ34	文件：1.6111 Mbytes Page：9 Pages	Power MOSFET FEATURES • Dynamic dV/dt Rating • Logic-Level Gate Drive • RDS(on) Specified at VGS = 4 V and 5 V • 175 °C Operating Temperature • Fast Switching • Ease of Paralleling • Simple Drive Requirements • Compliant to RoHS Directive 2002/95/EC DESCRIPTION Third generation Power MOSFETs from V 文件：1.6111 Mbytes 页数：9 Pages	VishayVishay Siliconix 威世威世科技公司	Vishay
IRLZ34	文件：178 Kbytes Page：6 Pages	HEXFET POWER MOSFET Coming Soon. If you have some information on related parts, please share useful information by adding links below. 文件：178 Kbytes 页数：6 Pages	IRF	IRF
IRLZ34	文件：1.53667 Mbytes Page：9 Pages	Power MOSFET 文件：1.53667 Mbytes 页数：9 Pages	VishayVishay Siliconix 威世威世科技公司	Vishay
IRLZ34	文件：1.53667 Mbytes Page：9 Pages	Power MOSFET 文件：1.53667 Mbytes 页数：9 Pages	VishayVishay Siliconix 威世威世科技公司	Vishay
IRLZ34	文件：1.61395 Mbytes Page：9 Pages	Power MOSFET 文件：1.61395 Mbytes 页数：9 Pages	VishayVishay Siliconix 威世威世科技公司	Vishay
IRLZ34	文件：294.48 Kbytes Page：4 Pages	HEXFET Power Mosfet 文件：294.48 Kbytes 页数：4 Pages	ARTSCHIP	ARTSCHIP
IRLZ34_V01	文件：839.71 Kbytes Page：9 Pages	Power MOSFET FEATURES • Dynamic dV/dt rating • Logic-level gate drive • RDS(on) specified at VGS = 4 V and 5 V • 175 °C operating temperature • Fast switching • Ease of paralleling • Simple drive requirements • Material categorization: for definitions of compliance please see www.vishay.com/doc?99912 文件：839.71 Kbytes 页数：9 Pages	VishayVishay Siliconix 威世威世科技公司	Vishay

技术参数

OPN：
IRLZ34NPBF
Qualification：
Non-Automotive
Package name：
TO220
VDS max：
55 V
RDS (on) @10V max：
35 mΩ
RDS (on) @4.5V max：
60 mΩ
ID @25°C max：
30 A
QG typ @4.5V：
16.7 nC
Polarity：
N
VGS(th) min：
1 V
VGS(th) max：
2 V
VGS(th)：
1.5 V
Technology：
IR MOSFET™

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