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IRLS630A	文件：282.84 Kbytes Page：7 Pages	Advanced Power MOSFET BVDSS=200V RDS(on)=0.4Ω ID=6.5A FEATURES ●Logic-LevelGateDrive ●AvalancheRuggedTechnology ●RuggedGateOxideTechnology ●LowerInputCapacitance ●ImprovedGateCharge ●ExtendedSafeOperatingArea ●LowerLeakageCurrent:10μA(Max.)@VDS=200V ●LowerRDS(ON):0	FairchildFairchild Semiconductor 仙童半导体飞兆/仙童半导体公司	Fairchild
IRLS630A	文件：264.64 Kbytes Page：2 Pages	isc N-Channel MOSFET Transistor	ISCInchange Semiconductor Company Limited 无锡固电无锡固电半导体股份有限公司	ISC
IRLW630A	文件：226.75 Kbytes Page：7 Pages	AdvancedPowerMOSFET BVDSS=200V RDS(on)=0.4Ω ID=9A FEATURES ♦AvalancheRuggedTechnology ♦RuggedGateOxideTechnology ♦LowerInputCapacitance ♦ImprovedGateCharge ♦ExtendedSafeOperatingArea ♦150°COperatingTemperature ♦LowerLeakageCurrent:10µA(Max.)@VDS=200V ♦LowerRDS(ON):0.	IRF International Rectifier	IRF
IRLW630A	文件：226.75 Kbytes Page：7 Pages	ADVANCEDPOWERMOSFET BVDSS=200V RDS(on)=0.4Ω ID=9A FEATURES ♦AvalancheRuggedTechnology ♦RuggedGateOxideTechnology ♦LowerInputCapacitance ♦ImprovedGateCharge ♦ExtendedSafeOperatingArea ♦150°COperatingTemperature ♦LowerLeakageCurrent:10µA(Max.)@VDS=200V ♦LowerRDS(ON):0.	FairchildFairchild Semiconductor 仙童半导体飞兆/仙童半导体公司	Fairchild
IRLW630A	文件：362.41 Kbytes Page：2 Pages	iscN-ChannelMOSFETTransistor	ISCInchange Semiconductor Company Limited 无锡固电无锡固电半导体股份有限公司	ISC
IRLWI630A	文件：225.02 Kbytes Page：7 Pages	AdvancedPowerMOSFET	FairchildFairchild Semiconductor 仙童半导体飞兆/仙童半导体公司	Fairchild
IXD_630	文件：271.41 Kbytes Page：12 Pages	30APeakSource/SinkDriveCurrent	IXYS IXYS Corporation	IXYS
IXD_630	文件：1.56487 Mbytes Page：12 Pages	30-AmpereLow-SideUltrafastMOSFETDrivers	Clare Clare, Inc.	Clare
IXDD630CI	文件：271.41 Kbytes Page：12 Pages	30APeakSource/SinkDriveCurrent	IXYS IXYS Corporation	IXYS
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IXDD630MCI	文件：271.41 Kbytes Page：12 Pages	30APeakSource/SinkDriveCurrent	IXYS IXYS Corporation	IXYS
IXDD630MCI	文件：1.56487 Mbytes Page：12 Pages	30-AmpereLow-SideUltrafastMOSFETDrivers	Clare Clare, Inc.	Clare
IXDD630MYI	文件：1.56487 Mbytes Page：12 Pages	30-AmpereLow-SideUltrafastMOSFETDrivers	Clare Clare, Inc.	Clare
IXDD630MYI	文件：271.41 Kbytes Page：12 Pages	30APeakSource/SinkDriveCurrent	IXYS IXYS Corporation	IXYS
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详细参数

型号：
IRLS630A
功能描述：
MOSFET 200V N-Channel a-FET Logic Level
RoHS：
否
制造商：
STMicroelectronics
晶体管极性：
N-Channel
汲极/源极击穿电压：
650 V
闸/源击穿电压：
25 V
漏极连续电流：
130 A 电阻汲极/源极
RDS（导通）：
0.014 Ohms
配置：
Single
安装风格：
Through Hole
封装/箱体：
Max247
封装：
Tube

供应商	型号	品牌	批号	封装	库存	备注	价格
深圳市昌和盛利电子有限公司	IRLS630A	FAIRCHILD	23+	TO-220F	9526		询价
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更多IRLS630A供应商更新时间2024-9-20 16:38:00

详细参数

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