| 选定 | 供应商 | 型号 | 品牌封装 | 数量 | 批号 | 价格 | 说明/货期/品质/优势 | 询价 |
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12年
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IRTO-251 |
10000 |
13+ |
深圳市勤思达科技有限公司主营IR系列全新原装正品,公司现货供应IRLU024NPBF,绝对正品,欢迎咨询洽谈。 |
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IRN/A |
70000 |
2025+ |
柒号只做原装 现货价秒杀全网 |
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16年
留言
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IRUNKNOWN |
53500 |
2023+ |
正品,原装现货 |
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6年
留言
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INFINEONTO-251 |
18000 |
26+ |
原装现货,原厂渠道价格优势 |
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6年
留言
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Infineon/英飞凌原厂封装 |
10280 |
26+ |
原厂授权一级代理,专注军工、汽车、医疗、工业、新能源、电力! |
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IRN/A |
70000 |
2025+ |
柒号只做原装 现货价秒杀全网 |
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7年
留言
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INFINEON/英飞凌TO-251-3 |
3000 |
25+ |
全新原装正品支持含税 |
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5年
留言
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INFINEONTO-251 |
12000 |
25+ |
现货,来电咨询 |
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7年
留言
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Infineon(英飞凌)TO-251-3 |
18798 |
25+ |
原装正品现货,原厂订货,可支持含税原型号开票。 |
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1年
留言
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INFINEONTO-251 |
20000 |
26+ |
公司只做正品原装,实单可谈 |
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4年
留言
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INFINEON/英飞凌TO-251 |
4500 |
23+ |
只做原装正品现货或订货假一赔十! |
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13年
留言
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IRTO-251 |
36000 |
21+ |
十年信誉,只做原装,有挂就有现货! |
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8年
留言
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Infineon(英飞凌)TO-251-3 |
18798 |
25+ |
原装正品现货,原厂订货,可支持含税原型号开票。 |
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14年
留言
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TITO-251 |
30000 |
21+ |
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原装正品现货假一罚十 |
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11年
留言
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IRTO-251 |
30000 |
26+ |
只做原装现货假一罚十 |
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7年
留言
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Infineon(英飞凌)TO-251 |
20316 |
24+ |
正规渠道,免费送样。支持账期,BOM一站式配齐 |
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3年
留言
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InfineonTO-251(I-PAK) |
12000 |
26+ |
原装现货在仓华丽实单致电 |
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7年
留言
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Infineon(英飞凌)TO-251-3 |
18798 |
25+ |
原装正品现货,原厂订货,可支持含税原型号开票。 |
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20年
留言
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IRTO-220 |
2000 |
22+ |
只做原装真实库存13714450367 |
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5年
留言
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INFINEON/英飞凌TO-251 |
10480 |
18+ |
原装现货 |
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IRLU024NPBF中文资料Alldatasheet PDF
更多IRLU024NPBF功能描述:MOSFET MOSFT 55V 17A 65mOhm 10nC Log Lvl RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS(导通):0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube
IRLU024NHR制造商:International Rectifier 功能描述:Trans MOSFET N-CH 55V 17A 3-Pin(3+Tab) IPAK
IRLU024N功能描述:MOSFET N-CH 55V 17A I-PAK RoHS:否 类别:分离式半导体产品 >> FET - 单 系列:HEXFET® 标准包装:1,000 系列:MESH OVERLAY™ FET 型:MOSFET N 通道,金属氧化物 FET 特点:逻辑电平门 漏极至源极电压(Vdss):200V 电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C:18A 开态Rds(最大)@ Id, Vgs @ 25° C:180 毫欧 @ 9A,10V Id 时的 Vgs(th)(最大):4V @ 250µA 闸电荷(Qg) @ Vgs:72nC @ 10V 输入电容(Ciss) @ Vds:1560pF @ 25V 功率 - 最大:40W 安装类型:通孔 封装/外壳:TO-220-3 整包 供应商设备封装:TO-220FP 包装:管件

































