产品种类: MOSFET
制造商: Infineon
RoHS: 符合RoHS 详细信息
技术: Si
安装风格: Through Hole
封装 / 箱体: TO-251-3
通道数量: 1 Channel
晶体管极性: N-Channel
Vds-漏源极击穿电压: 55 V
Id-连续漏极电流: 17 A
Rds On-漏源导通电阻: 110 mOhms
Vgs - 栅极-源极电压: 16 V
Qg-栅极电荷: 10 nC
封装: Tube
商标: Infineon Technologies
高度: 6.22 mm
长度: 6.73 mm
Pd-功率耗散: 38 W
工厂包装数量: 1650
晶体管类型: 1 N-Channel
宽度: 2.38 mm
单位重量: 4 g
