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IRLU2905Z	文件：217.58 Kbytes Page：11 Pages	AUTOMOTIVE MOSFET Description Specifically designed for Automotive applications, this HEXFET® Power MOSFET utilizes the latest processing techniques to achieve extremely low on-resistance per silicon area. Additional features of this design are a 175°C junction operating temperature, fast switching speed and imp 文件：217.58 Kbytes 页数：11 Pages	IRF	IRF
IRLU2905Z	文件：267.37 Kbytes Page：2 Pages	isc Silicon NPN Power Transistor 文件：267.37 Kbytes 页数：2 Pages	ISC 无锡固电	ISC
IRLU2905Z	文件：1.09339 Mbytes Page：11 Pages	Advanced Process Technology 文件：1.09339 Mbytes 页数：11 Pages	KERSEMI	KERSEMI
IRLU2905ZPBF	文件：266.77 Kbytes Page：11 Pages	HEXFET Power MOSFET Description Specifically designed for Automotive applications, this HEXFET® Power MOSFET utilizes the latest processing techniques to achieve extremely low on-resistance per silicon area. Additional features of this design are a 175°C junction operating temperature, fast switching speed and impro 文件：266.77 Kbytes 页数：11 Pages	IRF	IRF
IRLU2905ZPBF	文件：333.59 Kbytes Page：11 Pages	Advanced Process Technology 文件：333.59 Kbytes 页数：11 Pages	IRF	IRF
IRLU2905Z	文件：300 bytes Page：1 Pages	采用 I-Pak 封装的 55V 单 N 通道 HEXFET 功率 MOSFET \n优势:\n• 符合 RoHS\n• 具有业内先进的品质\n• 快速开关\n• 175°C 的工作温度\n• 逻辑电平;	Infineon 英飞凌	Infineon

技术参数

Package ：
IPAK (TO-251)
VDS max：
55.0V
RDS (on) max：
13.5mΩ
RDS (on)(@10V) max：
13.5mΩ
RDS (on)(@4.5V) max：
22.5mΩ
Polarity ：
N
ID (@ TC=100°C) max：
43.0A
ID (@ TC=25°C) max：
60.0A
ID max：
60.0A
Ptot max：
110.0W
QG ：
23.0nC
Mounting ：
THT
Qgd ：
12.0nC
Tj max：
175.0°C
RthJC max：
1.38K/W
VGS max：
16.0V

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更多IRLU2905Z供应商更新时间2026-1-25 8:01:00

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