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IRFZ44VS	文件：145.04 Kbytes Page：10 Pages	Power MOSFET(Vdss=60V, Rds(on)=16.5mohm, Id=55A) Description Advanced HEXFET®Power MOSFETs from International Rectifier utilize advanced processing techniques to achieve extremely low on-resistance per silicon area. This benefit, combined with the fast switching speed and ruggedized device design that HEXFET power MOSFETs are well known for, pr 文件：145.04 Kbytes 页数：10 Pages	IRF	IRF
IRFZ44VSPBF	文件：216.82 Kbytes Page：10 Pages	HEXFET Power MOSFET Description Advanced HEXFET®Power MOSFETs from International Rectifier utilize advanced processing techniques to achieve extremely low on-resistance per silicon area. This benefit, combined with the fast switching speed and ruggedized device design that HEXFET power MOSFETs are well known for, pr 文件：216.82 Kbytes 页数：10 Pages	IRF	IRF
IRFZ44VSTRLPBF	文件：0 bytes Page：0 Pages	D2-PAK(TO-263)	INFINEON/英飞凌上传：深圳市明嘉莱科技有限公司	INFINEON/英飞凌
IRFZ46NPBF	文件：0 bytes Page：0 Pages	TO-220	IR 国际整流器上传：深圳市勤思达科技有限公司	IR
IRFZ48N	文件：0 bytes Page：0 Pages	TO-220/TO-263	IR 国际整流器上传：深圳市勤思达科技有限公司	IR

详细参数

型号：
IRFZ44VS
功能描述：
MOSFET N-CH 60V 55A D2PAK
RoHS：
否
类别：
分离式半导体产品 >> FET - 单
系列：
HEXFET®
标准包装：
1,000
系列：
MESH OVERLAY™ FET
型：
MOSFET N 通道，金属氧化物 FET
特点：
逻辑电平门
漏极至源极电压(Vdss)：
200V 电流 - 连续漏极(Id) @ 25°
C：
18A 开态Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25°
C：
180 毫欧 @ 9A，10V Id 时的
Vgs(th)（最大）：
4V @ 250µA 闸电荷(Qg) @
Vgs：
72nC @ 10V 输入电容(Ciss) @
Vds：
1560pF @ 25V 功率 -
最大：
40W
安装类型：
通孔
封装/外壳：
TO-220-3 整包
供应商设备封装：
TO-220FP
包装：
管件

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