| 选定 | 供应商 | 型号 | 品牌封装 | 数量 | 批号 | 价格 | 说明/货期/品质/优势 | 询价 |
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深圳市纳艾斯科技有限公司9年
留言
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IRTO-263 |
8000 |
2020+ |
只做自己库存,全新原装进口正品假一赔百,可开13%增 |
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深圳市振宏微科技有限公司2年
留言
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7000 |
23+ |
原装正品!假一罚十! |
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深圳市汇莱威科技有限公司11年
留言
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IRTO263 |
7906200 |
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深圳市中正中芯电子科技有限公司1年
留言
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INFINEONsot |
7500 |
22+ |
原厂批价一手货源,市场优惠价格 |
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深圳市高捷芯城科技有限公司4年
留言
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Infineon(英飞凌)D2PAK |
8357 |
23+ |
支持大陆交货,美金交易。原装现货库存。 |
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深圳市宏捷佳电子科技有限公司10年
留言
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IR/VISHAYTO-263 |
12300 |
23+ |
全新原装真实库存含13点增值税票! |
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深圳市纳艾斯科技有限公司9年
留言
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IRTO-220 |
80000 |
2020+ |
只做自己库存,全新原装进口正品假一赔百,可开13%增 |
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深圳市威雅利发展有限公司5年
留言
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INFINEONTO-220 |
781 |
1932+ |
一级代理,专注军工、汽车、医疗、工业、新能源、电力 |
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中天科工半导体（深圳）有限公司13年
留言
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IRTO-220 |
38900 |
20+ |
原装优势主营型号-可开原型号增税票 |
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深圳市科恒伟业电子有限公司10年
留言
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IRTO-220 |
9852 |
1822+ |
只做原装正品假一赔十为客户做到零风险!! |
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深圳市科恒伟业电子有限公司9年
留言
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IRTO-220 |
6523 |
1816+ |
科恒伟业!只做原装正品,假一赔十! |
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深圳和润天下电子科技有限公司5年
留言
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INFINEON/英飞凌TO-220 |
88713 |
22+ |
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深圳市博浩通科技有限公司14年
留言
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IRTO-220AB |
8600 |
23+ |
全新原装现货 |
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深圳市华瑞顺电子科技有限公司6年
留言
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IRTO-220 |
12800 |
22+ |
本公司只做进口原装!优势低价出售! |
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深圳兆威电子有限公司5年
留言
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IRTO-220-3 |
90000 |
20+ |
全新原装正品/库存充足 |
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深圳市科翼源电子有限公司1年
留言
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IRTO-220 |
2908 |
23+ |
原厂原装正品 |
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深圳市汇莱威科技有限公司11年
留言
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IRTO-220 |
562000 |
2320+ |
16年只做原装原标渠道现货终端BOM表可配单提供样品 |
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北京天阳诚业科贸有限公司16年
留言
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INFINEONNA |
200 |
23+ |
MOSFET |
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深圳市芯福林电子科技有限公司2年
留言
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Infineon TechnologiesTO2203 |
13880 |
21+ |
公司只售原装,支持实单 |
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深圳市云迪科技有限公司7年
留言
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IRTO-220AB |
10000 |
22+ |
原装正品优势现货供应 |
IRFZ44Z采购信息快速发布，第一时间取得供应商价格！
IRFZ44Z图片
IRFZ44ZSPBF价格
IRFZ44ZSPBF价格：￥3.1633品牌：International
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IRFZ44Z中文资料Alldatasheet PDF
更多IRFZ44Z功能描述:MOSFET N-CH 55V 51A TO-220AB RoHS:否 类别:分离式半导体产品 >> FET - 单 系列:HEXFET® 标准包装:1,000 系列:MESH OVERLAY™ FET 型:MOSFET N 通道，金属氧化物 FET 特点:逻辑电平门 漏极至源极电压(Vdss):200V 电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C:18A 开态Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25° C:180 毫欧 @ 9A，10V Id 时的 Vgs(th)（最大）:4V @ 250µA 闸电荷(Qg) @ Vgs:72nC @ 10V 输入电容(Ciss) @ Vds:1560pF @ 25V 功率 - 最大:40W 安装类型:通孔 封装/外壳:TO-220-3 整包 供应商设备封装:TO-220FP 包装:管件
IRFZ44ZHR制造商:International Rectifier 功能描述:TRANS MOSFET N-CH 55V 51A 3PIN TO-220AB - Bulk
IRFZ44ZL功能描述:MOSFET N-CH 55V 51A TO-262 RoHS:否 类别:分离式半导体产品 >> FET - 单 系列:HEXFET® 标准包装:1,000 系列:MESH OVERLAY™ FET 型:MOSFET N 通道，金属氧化物 FET 特点:逻辑电平门 漏极至源极电压(Vdss):200V 电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C:18A 开态Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25° C:180 毫欧 @ 9A，10V Id 时的 Vgs(th)（最大）:4V @ 250µA 闸电荷(Qg) @ Vgs:72nC @ 10V 输入电容(Ciss) @ Vds:1560pF @ 25V 功率 - 最大:40W 安装类型:通孔 封装/外壳:TO-220-3 整包 供应商设备封装:TO-220FP 包装:管件
IRFZ44ZLPBF功能描述:MOSFET MOSFT 55V 51A 13.9mOhm 29nC RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube
IRFZ44ZPBF功能描述:MOSFET MOSFT 55V 51A 13.9mOhm 29nC Qg RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube
IRFZ44ZS功能描述:MOSFET N-CH 55V 51A D2PAK RoHS:否 类别:分离式半导体产品 >> FET - 单 系列:HEXFET® 标准包装:1,000 系列:MESH OVERLAY™ FET 型:MOSFET N 通道，金属氧化物 FET 特点:逻辑电平门 漏极至源极电压(Vdss):200V 电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C:18A 开态Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25° C:180 毫欧 @ 9A，10V Id 时的 Vgs(th)（最大）:4V @ 250µA 闸电荷(Qg) @ Vgs:72nC @ 10V 输入电容(Ciss) @ Vds:1560pF @ 25V 功率 - 最大:40W 安装类型:通孔 封装/外壳:TO-220-3 整包 供应商设备封装:TO-220FP 包装:管件
IRFZ44ZSHR制造商:International Rectifier 功能描述:TRANS MOSFET N-CH 55V 51A 3PIN D2PAK - Bulk
IRFZ44ZSPBF功能描述:MOSFET MOSFT 55V 51A 13.9mOhm 29nC Qg RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube
IRFZ44ZSTRLHR制造商:International Rectifier 功能描述:TRANS MOSFET N-CH 55V 51A 3PIN D2PAK - Tape and Reel
IRFZ44ZSTRRHR制造商:International Rectifier 功能描述:TRANS MOSFET N-CH 55V 51A 3PIN D2PAK - Tape and Reel
