| 选定 | 供应商 | 型号 | 品牌封装 | 数量 | 批号 | 价格 | 说明/货期/品质/优势 | 询价 |
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深圳市勤思达科技有限公司11年
留言
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IRTO-220 |
100000 |
13+ |
深圳市勤思达科技有限公司主营IR系列全新原装正品,公司现货供应IRFZ460NPBF,绝对正品,欢迎咨询洽谈。 |
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深圳市环球伟业电子有限公司2年
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WSOP16 |
2521 |
21+ |
优势代理渠道,原装正品,可全系列订货开增值税票 |
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深圳市金胜达微科技有限公司2年
留言
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IRTO-220 |
10000 |
21+ |
原厂订货价格优势,可开13%的增值税票 |
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深圳市誉腾达半导体科技有限公司1年
留言
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INFINEONTO-220-3 |
3000 |
22+ |
公司只有原装 |
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深圳市智连鑫科技有限公司1年
留言
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INFINEONTO-220-3 |
8000 |
23+ |
只做原装正品,假一罚十 |
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深圳市纳艾斯科技有限公司9年
留言
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IRTO-220 |
8000 |
2020+ |
只做自己库存,全新原装进口正品假一赔百,可开13%增 |
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深圳市恒达亿科技有限公司10年
留言
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IRTO220 |
6000 |
23+ |
全新原装现货、诚信经营! |
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深圳市高捷芯城科技有限公司4年
留言
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Infineon(英飞凌)D2PAK |
8357 |
23+ |
支持大陆交货,美金交易。原装现货库存。 |
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深圳市赛能新源半导体有限公司4年
留言
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IR/INFINEONTO-220 |
60000 |
21+ |
原装正品进口现货 |
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深圳市美思瑞电子科技有限公司11年
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IRD2-PAK |
9450 |
22+ |
原装正品，实单请联系 |
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深圳市吉铭电子科技有限公司2年
留言
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IRTO-262 |
800000 |
22+ |
原装正品 |
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深圳市拓亿芯电子有限公司10年
留言
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IRTO-220 |
22000 |
23+ |
原装现货假一罚十 |
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深圳市跃创芯科技有限公司3年
留言
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INFINEON/IRTO-263 |
60000 |
21+ |
绝对原装正品现货,假一罚十 |
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深圳市科恒伟业电子有限公司2年
留言
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INFINEON/英飞凌TO-220 |
9800 |
22+ |
只做原装正品假一赔十!正规渠道订货! |
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深圳市坤融电子科技有限公司5年
留言
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IRD2-pak |
20000 |
22+ |
只做原装进口 免费送样!! |
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深圳市华康联电子科技有限公司12年
留言
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IRTO220 |
20000 |
23+ |
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深圳市宝隆宏业科技有限公司7年
留言
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INFINEON/英飞凌to-220 |
36800 |
21+ |
进口原装现货 假一赔十 |
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深圳市赛尔通科技有限公司14年
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IRTO-220 |
65400 |
23+ |
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深圳市福田区晶康业电子商行2年
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IRTO-263 |
800 |
20+ |
全新原装,价格优势 |
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深圳市宏捷佳电子科技有限公司10年
留言
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IR/VISHAYTO-263 |
12300 |
23+ |
全新原装真实库存含13点增值税票! |
IRFZ46N采购信息快速发布，第一时间取得供应商价格！
IRFZ46N图片
IRFZ46NPBF价格
IRFZ46NPBF价格：￥2.1537品牌：International
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IRFZ46NS资讯
IRFZ46NPBF 原装现货 大量库存 深圳神舟芯电子科技有限公司
深圳市神舟芯电子科技有限公司联系人：张小姐电话：0755-23156358/15814652535传真：0755-23156358地址：深圳市宝安区民治大道华侨新苑5--11AQQ：2443899114网址：www.szx-ic.com本公司只做原装，散新勿扰IRFZ46NPBF功能描述:MOSFETMOSFT55V46A16.5mOhm48nCRoHS:否制
IRFZ46NPBF IRFZ46NS IRFZ46NL 原装现货热卖，厂家直销，量大可以订货。
型号：IRFZ46NPBF 品牌：IR 类型：MOS管 描述MOSFETN-CH55V53ATO-220AB 类别：分离式半导体产品 家庭：FET-单 系列：HEXFET® FET型：MOSFETN通道，金属氧化物 FET特点：标准型 漏极至源
IRFZ46NLPBF 盛邦电子有限公司
品牌：IR 封装：TO-262 批号：2006 原装热卖 电话/传真：0755-83952486 QQ:57307160015818588582陈`R QQ:49919901913728835252姚`S
IRFZ46NS中文资料Alldatasheet PDF
更多IRFZ46N功能描述:MOSFET MOSFET, 55V, 46A, 16.5 mOhm, 48 nC Qg, TO-220AB RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube
IRFZ46N_04制造商:IRF 制造商全称:International Rectifier 功能描述:HEXFET㈢ Power MOSFET(VDSS = 55V,RDS(on) = 16.5mヘ,ID = 53A)
IRFZ46NL功能描述:MOSFET N-CH 55V 53A TO-262 RoHS:否 类别:分离式半导体产品 >> FET - 单 系列:HEXFET® 标准包装:1,000 系列:MESH OVERLAY™ FET 型:MOSFET N 通道，金属氧化物 FET 特点:逻辑电平门 漏极至源极电压(Vdss):200V 电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C:18A 开态Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25° C:180 毫欧 @ 9A，10V Id 时的 Vgs(th)（最大）:4V @ 250µA 闸电荷(Qg) @ Vgs:72nC @ 10V 输入电容(Ciss) @ Vds:1560pF @ 25V 功率 - 最大:40W 安装类型:通孔 封装/外壳:TO-220-3 整包 供应商设备封装:TO-220FP 包装:管件
IRFZ46NLPBF功能描述:MOSFET MOSFT 55V 53A 16.5mOhm 48nC RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube
IRFZ46NPBF功能描述:MOSFET MOSFT 55V 46A 16.5mOhm 48nC RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube
IRFZ46NS功能描述:MOSFET N-CH 55V 53A D2PAK RoHS:否 类别:分离式半导体产品 >> FET - 单 系列:HEXFET® 标准包装:1,000 系列:MESH OVERLAY™ FET 型:MOSFET N 通道，金属氧化物 FET 特点:逻辑电平门 漏极至源极电压(Vdss):200V 电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C:18A 开态Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25° C:180 毫欧 @ 9A，10V Id 时的 Vgs(th)（最大）:4V @ 250µA 闸电荷(Qg) @ Vgs:72nC @ 10V 输入电容(Ciss) @ Vds:1560pF @ 25V 功率 - 最大:40W 安装类型:通孔 封装/外壳:TO-220-3 整包 供应商设备封装:TO-220FP 包装:管件
IRFZ46NSHR制造商:International Rectifier 功能描述:Trans MOSFET N-CH 55V 53A 3-Pin(2+Tab) D2PAK 制造商:International Rectifier 功能描述:TRANS MOSFET N-CH 55V 53A 3PIN D2PAK - Bulk
IRFZ46NSPBF功能描述:MOSFET 55V Single N-Channel HEXFET Power MOSFET RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube
IRFZ46NSTRL功能描述:MOSFET N-CH 55V 53A D2PAK RoHS:否 类别:分离式半导体产品 >> FET - 单 系列:HEXFET® 标准包装:1,000 系列:MESH OVERLAY™ FET 型:MOSFET N 通道，金属氧化物 FET 特点:逻辑电平门 漏极至源极电压(Vdss):200V 电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C:18A 开态Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25° C:180 毫欧 @ 9A，10V Id 时的 Vgs(th)（最大）:4V @ 250µA 闸电荷(Qg) @ Vgs:72nC @ 10V 输入电容(Ciss) @ Vds:1560pF @ 25V 功率 - 最大:40W 安装类型:通孔 封装/外壳:TO-220-3 整包 供应商设备封装:TO-220FP 包装:管件
IRFZ46NSTRLHR制造商:International Rectifier 功能描述:Trans MOSFET N-CH 55V 53A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R 制造商:International Rectifier 功能描述:TRANS MOSFET N-CH 55V 53A 3PIN D2PAK - Tape and Reel
