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IRFZ44ZS	文件：333.19 Kbytes Page：12 Pages	Power MOSFET(Vdss=55V, Rds(on)=13.9mohm, Id=51A) VDSS=55V RDS(on)=13.9mΩ ID=51A Description SpecificallydesignedforAutomotiveapplications,thisHEXFET®PowerMOSFETutilizesthelatestprocessingtechniquestoachieveextremelylowon-resistancepersiliconarea.Additionalfeaturesofthisdesignarea175°Cjunctionope	IRFInternational Rectifier 英飞凌英飞凌科技公司
IRFZ44ZS	文件：299.81 Kbytes Page：2 Pages	Isc N-Channel MOSFET Transistor	ISCInchange Semiconductor Company Limited 无锡固电无锡固电半导体股份有限公司
IRFZ44ZSPBF	文件：291.37 Kbytes Page：13 Pages	HEXFET짰 Power MOSFET ( VDSS = 55V , RDS(on) = 13.9m廓 , ID = 51A ) VDSS=55V RDS(on)=13.9mΩ ID=51A Description SpecificallydesignedforAutomotiveapplications,thisHEXFET®PowerMOSFETutilizesthelatestprocessingtechniquestoachieveextremelylowon-resistancepersiliconarea.Additionalfeaturesofthisdesignarea175°Cjunctionope	IRFInternational Rectifier 英飞凌英飞凌科技公司

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IRFZ44ZS

文件：333.19 Kbytes

Page：12 Pages

Power MOSFET(Vdss=55V, Rds(on)=13.9mohm, Id=51A)

VDSS=55V RDS(on)=13.9mΩ ID=51A Description SpecificallydesignedforAutomotiveapplications,thisHEXFET®PowerMOSFETutilizesthelatestprocessingtechniquestoachieveextremelylowon-resistancepersiliconarea.Additionalfeaturesofthisdesignarea175°Cjunctionope

IRFInternational Rectifier

英飞凌英飞凌科技公司

IRFZ44ZS

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Page：2 Pages

Isc N-Channel MOSFET Transistor

ISCInchange Semiconductor Company Limited

无锡固电无锡固电半导体股份有限公司

IRFZ44ZSPBF

文件：291.37 Kbytes

Page：13 Pages

HEXFET짰 Power MOSFET ( VDSS = 55V , RDS(on) = 13.9m廓 , ID = 51A )

IRFInternational Rectifier

英飞凌英飞凌科技公司

详细参数

型号：
IRFZ44ZS
功能描述：
MOSFET N-CH 55V 51A D2PAK
RoHS：
否
类别：
分离式半导体产品 >> FET - 单
系列：
HEXFET®
标准包装：
1,000
系列：
MESH OVERLAY™ FET
型：
MOSFET N 通道，金属氧化物 FET
特点：
逻辑电平门
漏极至源极电压(Vdss)：
200V 电流 - 连续漏极(Id) @ 25°
C：
18A 开态Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25°
C：
180 毫欧 @ 9A，10V Id 时的
Vgs(th)（最大）：
4V @ 250µA 闸电荷(Qg) @
Vgs：
72nC @ 10V 输入电容(Ciss) @
Vds：
1560pF @ 25V 功率 -
最大：
40W
安装类型：
通孔
封装/外壳：
TO-220-3 整包
供应商设备封装：
TO-220FP
包装：
管件

供应商	型号	品牌	批号	封装	库存	备注	价格
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更多IRFZ44ZS供应商更新时间2024-4-23 22:30:00

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