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IRFZ48NL | Advanced Process Technology Description AdvancedHEXFET®PowerMOSFETsfromInternationalRectifierutilizeadvancedprocessingtechniquestoachieveextremelylowon-resistancepersiliconarea.Thisbenefit,combinedwiththefastswitchingspeedandruggedizeddevicedesignthatHEXFETpowerMOSFETsarewellknownfor,p | IRFInternational Rectifier 英飞凌英飞凌科技公司 | ||
HEXFET Power MOSFET Description AdvancedHEXFET®PowerMOSFETsfromInternationalRectifierutilizeadvancedprocessingtechniquestoachieveextremelylowon-resistancepersiliconarea.Thisbenefit,combinedwiththefastswitchingspeedandruggedizeddevicedesignthatHEXFETpowerMOSFETsarewellknownfor,p | IRFInternational Rectifier 英飞凌英飞凌科技公司 |
详细参数
- 型号:
IRFZ48NL
- 功能描述:
MOSFET N-CH 55V 64A TO-262
- RoHS:
否
- 类别:
分离式半导体产品 >> FET - 单
- 系列:
HEXFET®
- 标准包装:
1,000
- 系列:
MESH OVERLAY™ FET
- 型:
MOSFET N 通道,金属氧化物 FET
- 特点:
逻辑电平门
- 漏极至源极电压(Vdss):
200V 电流 - 连续漏极(Id) @ 25°
- C:
18A 开态Rds(最大)@ Id, Vgs @ 25°
- C:
180 毫欧 @ 9A,10V Id 时的
- Vgs(th)(最大):
4V @ 250µA 闸电荷(Qg) @
- Vgs:
72nC @ 10V 输入电容(Ciss) @
- Vds:
1560pF @ 25V 功率 -
- 最大:
40W
- 安装类型:
通孔
- 封装/外壳:
TO-220-3 整包
- 供应商设备封装:
TO-220FP
- 包装:
管件
供应商 | 型号 | 品牌 | 批号 | 封装 | 库存 | 备注 | 价格 |
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IR |
08+(pbfree) |
TO-262 |
8866 |
询价 | |||
IR |
23+ |
TO-262 |
7600 |
全新原装现货 |
询价 | ||
IRF |
23+ |
NA |
19960 |
只做进口原装,终端工厂免费送样 |
询价 | ||
IR |
23+ |
TO-262-3 |
11846 |
一级代理商现货批发,原装正品,假一罚十 |
询价 | ||
InfineonTechnologies |
19+ |
TO-262-3LongLeads |
56800 |
I2Pak |
询价 | ||
23+ |
N/A |
46590 |
正品授权货源可靠 |
询价 | |||
IR |
20+ |
TO-262-3 |
90000 |
全新原装正品/库存充足 |
询价 | ||
IR |
2023+ |
TO-262 |
80000 |
一级代理/分销渠道价格优势 十年芯程一路只做原装正品 |
询价 | ||
IR |
2020+ |
TO-262 |
16800 |
绝对原装进口现货,假一赔十,价格优势!? |
询价 | ||
IR |
20+/21+ |
TO-262 |
9500 |
全新原装进口价格优势 |
询价 |
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