选定 | 供应商 | 型号 | 品牌封装 | 数量 | 批号 | 价格 | 说明/货期/品质/优势 | 询价 |
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深圳市明嘉莱科技有限公司4年
留言
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INFINEON/英飞凌D2-PAK(TO-263) |
56890 |
21+ |
明嘉莱只做原装正品现货 |
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深圳市美思瑞电子科技有限公司11年
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IRD2-PAK |
9450 |
22+ |
原装正品,实单请联系 |
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深圳市纳艾斯科技有限公司9年
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IRTO-263 |
8000 |
2020+ |
只做自己库存,全新原装进口正品假一赔百,可开13%增 |
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深圳市坤融电子科技有限公司5年
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IRTO-263 |
2990 |
22+ |
只做原装进口 免费送样!! |
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深圳市珩瑞科技有限公司3年
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6000 |
21+ |
原装正品 |
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深圳市鼎欣微电子有限公司4年
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IRTO-263 |
21000 |
22+ |
原厂原包装。假一罚十。可开13%增值税发票。 |
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深圳市特顺芯科技有限公司15年
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IRD2-Pak |
8866 |
08+(pbfree) |
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深圳市河锋鑫科技有限公司3年
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Infineon TechnologiesTO2633 D2Pak (2 Leads + Tab) T |
9000 |
22+ |
原厂渠道,现货配单 |
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深圳市芯诚实创科技有限公司2年
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IRSOT-363 |
3080 |
2022 |
原装正品 |
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深圳市国宇半导体科技有限公司5年
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IRD2-Pak |
10000 |
23+ |
公司只做原装正品 |
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深圳市惊羽科技有限公司4年
留言
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INFINEON-英飞凌TO-220-3 |
83500 |
24+25+/26+27+ |
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一一有问必回一特殊渠道一有长期订货一备货HK仓库 |
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中天科工半导体(深圳)有限公司13年
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IRD2-Pak |
36900 |
20+ |
原装优势主营型号-可开原型号增税票 |
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深圳市汇莱威科技有限公司11年
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IRTO-263 |
501431 |
16余年资质 绝对原盒原盘 更多数量 |
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中科航电(深圳)半导体技术有限公司7年
留言
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InfineonTechnologiesTO-263-3 |
65500 |
2019+ |
D2Pak(2Leads+Tab) |
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深圳市胜彬电子有限公司11年
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IRTO-263 |
8000 |
22+ |
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原装正品支持实单 |
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深圳兆威电子有限公司6年
留言
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IRD2-Pak |
90000 |
23+ |
只做原厂渠道价格优势可提供技术支持 |
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深圳市博浩通科技有限公司14年
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IRD2-Pak |
8600 |
23+ |
全新原装现货 |
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深圳市河锋鑫科技有限公司3年
留言
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IRTO-220AB |
12888 |
2022+ |
原厂代理 终端免费提供样品 |
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深圳市河锋鑫科技有限公司3年
留言
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IRD2-PAK |
6000 |
22+ |
终端可免费供样,支持BOM配单 |
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深圳市科雨电子有限公司4年
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INFINEONTO-263 |
3000 |
20+ |
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IRFZ44VS图片
IRFZ44VS中文资料Alldatasheet PDF
更多IRFZ44VS功能描述:MOSFET N-CH 60V 55A D2PAK RoHS:否 类别:分离式半导体产品 >> FET - 单 系列:HEXFET® 标准包装:1,000 系列:MESH OVERLAY™ FET 型:MOSFET N 通道,金属氧化物 FET 特点:逻辑电平门 漏极至源极电压(Vdss):200V 电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C:18A 开态Rds(最大)@ Id, Vgs @ 25° C:180 毫欧 @ 9A,10V Id 时的 Vgs(th)(最大):4V @ 250µA 闸电荷(Qg) @ Vgs:72nC @ 10V 输入电容(Ciss) @ Vds:1560pF @ 25V 功率 - 最大:40W 安装类型:通孔 封装/外壳:TO-220-3 整包 供应商设备封装:TO-220FP 包装:管件
IRFZ44VSPBF制造商:International Rectifier 功能描述:MOSFET N 60V 55A D2-PAK 制造商:International Rectifier 功能描述:MOSFET, N, 60V, 55A, D2-PAK 制造商:International Rectifier 功能描述:Single N-Channel 60 V 115 W 67 nC Hexfet Power Mosfet Surface Mount - D2PAK-3
IRFZ44VSTRL功能描述:MOSFET N-CH 60V 55A D2PAK RoHS:否 类别:分离式半导体产品 >> FET - 单 系列:HEXFET® 标准包装:1,000 系列:MESH OVERLAY™ FET 型:MOSFET N 通道,金属氧化物 FET 特点:逻辑电平门 漏极至源极电压(Vdss):200V 电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C:18A 开态Rds(最大)@ Id, Vgs @ 25° C:180 毫欧 @ 9A,10V Id 时的 Vgs(th)(最大):4V @ 250µA 闸电荷(Qg) @ Vgs:72nC @ 10V 输入电容(Ciss) @ Vds:1560pF @ 25V 功率 - 最大:40W 安装类型:通孔 封装/外壳:TO-220-3 整包 供应商设备封装:TO-220FP 包装:管件
IRFZ44VSTRLPBF制造商:International Rectifier 功能描述:MOSFET, 60V, 55A, 16.5 MOHM, 44.7 NC QG, D2-PAK 制造商:International Rectifier 功能描述:TRANS MOSFET N-CH 60V 55A 3PIN D2PAK - Tape and Reel
IRFZ44VSTRR功能描述:MOSFET N-CH 60V 55A D2PAK RoHS:否 类别:分离式半导体产品 >> FET - 单 系列:HEXFET® 标准包装:1,000 系列:MESH OVERLAY™ FET 型:MOSFET N 通道,金属氧化物 FET 特点:逻辑电平门 漏极至源极电压(Vdss):200V 电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C:18A 开态Rds(最大)@ Id, Vgs @ 25° C:180 毫欧 @ 9A,10V Id 时的 Vgs(th)(最大):4V @ 250µA 闸电荷(Qg) @ Vgs:72nC @ 10V 输入电容(Ciss) @ Vds:1560pF @ 25V 功率 - 最大:40W 安装类型:通孔 封装/外壳:TO-220-3 整包 供应商设备封装:TO-220FP 包装:管件
IRFZ44VSTRRPBF制造商:International Rectifier