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IRFZ48Z	文件：280.92 Kbytes Page：12 Pages	AUTOMOTIVE MOSFET Description Advanced HEXFET®Power MOSFETs from International Rectifier utilize advanced processing techniques to achieve extremely low on-resistance per silicon area. This benefit, combined with the fast switching speed and ruggedized device design that HEXFET power MOSFETs are well known for, p 文件：280.92 Kbytes 页数：12 Pages	IRF	IRF
IRFZ48Z	文件：338.82 Kbytes Page：2 Pages	N-Channel MOSFET Transistor 文件：338.82 Kbytes 页数：2 Pages	ISC 无锡固电	ISC
IRFZ48ZL	文件：280.92 Kbytes Page：12 Pages	AUTOMOTIVE MOSFET Description Advanced HEXFET®Power MOSFETs from International Rectifier utilize advanced processing techniques to achieve extremely low on-resistance per silicon area. This benefit, combined with the fast switching speed and ruggedized device design that HEXFET power MOSFETs are well known for, p 文件：280.92 Kbytes 页数：12 Pages	IRF	IRF
IRFZ48ZS	文件：280.92 Kbytes Page：12 Pages	AUTOMOTIVE MOSFET Description Advanced HEXFET®Power MOSFETs from International Rectifier utilize advanced processing techniques to achieve extremely low on-resistance per silicon area. This benefit, combined with the fast switching speed and ruggedized device design that HEXFET power MOSFETs are well known for, p 文件：280.92 Kbytes 页数：12 Pages	IRF	IRF
IRFZ48ZLPBF	文件：279.8 Kbytes Page：12 Pages	AUTOMOTIVE MOSFET 文件：279.8 Kbytes 页数：12 Pages	IRF	IRF
IRFZ48ZPBF	文件：381.8 Kbytes Page：12 Pages	ADVANCED PROCESS TECHNOLOGY 文件：381.8 Kbytes 页数：12 Pages	IRF	IRF
IRFZ48ZPBF	文件：279.8 Kbytes Page：12 Pages	AUTOMOTIVE MOSFET 文件：279.8 Kbytes 页数：12 Pages	IRF	IRF
IRFZ48ZPBF_15	文件：381.8 Kbytes Page：12 Pages	ADVANCED PROCESS TECHNOLOGY 文件：381.8 Kbytes 页数：12 Pages	IRF	IRF
IRFZ48ZS	文件：300.16 Kbytes Page：2 Pages	丝印：D2PAK；Package：TO-263；Isc N-Channel MOSFET Transistor 文件：300.16 Kbytes 页数：2 Pages	ISC 无锡固电	ISC
IRFZ48ZSPBF	文件：279.8 Kbytes Page：12 Pages	AUTOMOTIVE MOSFET 文件：279.8 Kbytes 页数：12 Pages	IRF	IRF

技术参数

VDS max：
55.0V
RDS (on)(@10V) max：
11.0mΩ
RDS (on) max：
11.0mΩ
Polarity ：
N
ID (@ TC=100°C) max：
43.0A
ID max：
43.0A
ID (@ TC=25°C) max：
61.0A
Ptot max：
91.0W
QG ：
43.0nC
Mounting ：
SMD
Moisture Sensitivity Level ：
1
Qgd ：
16.0nC
Tj max：
175.0°C
RthJC max：
1.64K/W
VGS max：
20.0V

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