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IRFU18N15D	文件：126.36 Kbytes Page：10 Pages	SMPS MOSFET Applications HighfrequencyDC-DCconverters Benefits 1.LowGatetoDrainChargetoReduceSwitchingLosses 2.FullyCharacterizedCapacitanceIncludingEffectiveCOSStoSimplifyDesign,(SeeApp.NoteAN1001) 3.FullyCharacterizedAvalancheVoltageandCurrent	IRF International Rectifier	IRF
IRFU18N15D	文件：1.61353 Mbytes Page：8 Pages	SMPS MOSFET	KERSEMI Kersemi Electronic Co., Ltd.	KERSEMI
IRFU18N15D	文件：246.68 Kbytes Page：2 Pages	Marking：IPAK；Package：TO-251；isc N-Channel MOSFET Transistor	ISCInchange Semiconductor Company Limited 无锡固电无锡固电半导体股份有限公司	ISC
IRFU18N15DPBF	文件：217.25 Kbytes Page：10 Pages	SMPS MOSFET	IRF International Rectifier	IRF
IRFU18N15DPBF	文件：3.8196 Mbytes Page：10 Pages	SMPS MOSFET	KERSEMI Kersemi Electronic Co., Ltd.	KERSEMI
CCP-18N15C-D	文件：591.23 Kbytes Page：10 Pages	CommercialNormallyOpenMulti-throw,DC-3GHz,LowPIM	WILLOWWillow Technologies Ltd 柳树科技柳树科技有限公司	WILLOW
CCP-18N15C-M	文件：591.23 Kbytes Page：10 Pages	CommercialNormallyOpenMulti-throw,DC-3GHz,LowPIM	WILLOWWillow Technologies Ltd 柳树科技柳树科技有限公司	WILLOW
CCP-18N15C-S	文件：591.23 Kbytes Page：10 Pages	CommercialNormallyOpenMulti-throw,DC-3GHz,LowPIM	WILLOWWillow Technologies Ltd 柳树科技柳树科技有限公司	WILLOW
CCP-18N15C-T	文件：591.23 Kbytes Page：10 Pages	CommercialNormallyOpenMulti-throw,DC-3GHz,LowPIM	WILLOWWillow Technologies Ltd 柳树科技柳树科技有限公司	WILLOW
CCP-18N15C-TD	文件：591.23 Kbytes Page：10 Pages	CommercialNormallyOpenMulti-throw,DC-3GHz,LowPIM	WILLOWWillow Technologies Ltd 柳树科技柳树科技有限公司	WILLOW

详细参数

型号：
IRFU18N15D
功能描述：
MOSFET N-CH 150V 18A I-PAK
RoHS：
否
类别：
分离式半导体产品 >> FET - 单
系列：
HEXFET®
标准包装：
1,000
系列：
MESH OVERLAY™ FET
型：
MOSFET N 通道，金属氧化物 FET
特点：
逻辑电平门
漏极至源极电压(Vdss)：
200V 电流 - 连续漏极(Id) @ 25°
C：
18A 开态Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25°
C：
180 毫欧 @ 9A，10V Id 时的
Vgs(th)（最大）：
4V @ 250µA 闸电荷(Qg) @
Vgs：
72nC @ 10V 输入电容(Ciss) @
Vds：
1560pF @ 25V 功率 -
最大：
40W
安装类型：
通孔
封装/外壳：
TO-220-3 整包
供应商设备封装：
TO-220FP
包装：
管件

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