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IRFU18N15D

SMPS MOSFET

Applications High frequency DC-DC converters Benefits 1. Low Gate to Drain Charge to Reduce Switching Losses 2. Fully Characterized Capacitance Including Effective COSSto Simplify Design, (See App. Note AN1001) 3. Fully Characterized Avalanche Voltage and Current

文件:126.36 Kbytes 页数:10 Pages

IRF

IRFU18N15D

丝印:IPAK;Package:TO-251;isc N-Channel MOSFET Transistor

文件:246.68 Kbytes 页数:2 Pages

ISC

无锡固电

IRFU18N15D

SMPS MOSFET

文件:1.61353 Mbytes 页数:8 Pages

KERSEMI

IRFU18N15DPBF

SMPS MOSFET

文件:3.8196 Mbytes 页数:10 Pages

KERSEMI

IRFU18N15DPBF

SMPS MOSFET

文件:217.25 Kbytes 页数:10 Pages

IRF

IRFU18N15D

MOSFET N-CH 150V 18A I-PAK

Infineon

英飞凌

详细参数

  • 型号:

    IRFU18N15D

  • 功能描述:

    MOSFET N-CH 150V 18A I-PAK

  • RoHS:

  • 类别:

    分离式半导体产品 >> FET - 单

  • 系列:

    HEXFET®

  • 标准包装:

    1,000

  • 系列:

    MESH OVERLAY™ FET

  • 型:

    MOSFET N 通道,金属氧化物 FET

  • 特点:

    逻辑电平门

  • 漏极至源极电压(Vdss):

    200V 电流 - 连续漏极(Id) @ 25°

  • C:

    18A 开态Rds(最大)@ Id, Vgs @ 25°

  • C:

    180 毫欧 @ 9A,10V Id 时的

  • Vgs(th)(最大):

    4V @ 250µA 闸电荷(Qg) @

  • Vgs:

    72nC @ 10V 输入电容(Ciss) @

  • Vds:

    1560pF @ 25V 功率 -

  • 最大:

    40W

  • 安装类型:

    通孔

  • 封装/外壳:

    TO-220-3 整包

  • 供应商设备封装:

    TO-220FP

  • 包装:

    管件

供应商型号品牌批号封装库存备注价格
IR
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TO-251
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一级代理商现货批发,原装正品,假一罚十
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TO2513 Short Leads IPak TO251A
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原装正品,提供BOM配单服务
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更多IRFU18N15D供应商 更新时间2025-10-4 8:01:00