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IRFP4310ZPBF	文件：299.59 Kbytes Page：8 Pages	HEXFET Power MOSFET Benefits ● Improved Gate, Avalanche and Dynamic dV/dt Ruggedness ● Fully Characterized Capacitance and Avalanche SOA ● Enhanced body diode dV/dt and dI/dt Capability ● Lead-Free Applications ● High Efficiency Synchronous Rectification in SMPS ● Uninterruptible Power Supply ● High Speed Pow 文件：299.59 Kbytes 页数：8 Pages	IRF	IRF
IRFP4310Z	文件：336.16 Kbytes Page：2 Pages	N-Channel MOSFET Transistor 文件：336.16 Kbytes 页数：2 Pages	ISC 无锡固电	ISC
IRFP4310ZPBF	文件：305.33 Kbytes Page：8 Pages	High Efficiency Synchronous Rectification in SMPS 文件：305.33 Kbytes 页数：8 Pages	IRF	IRF
IRFP4310ZPBF_15	文件：305.33 Kbytes Page：8 Pages	High Efficiency Synchronous Rectification in SMPS 文件：305.33 Kbytes 页数：8 Pages	IRF	IRF
IRFP4310Z	文件：300 bytes Page：1 Pages	100V 单 N 通道 StrongIRFET ™功率 MOSFET，采用 TO-247 封装 \n优势:\n• 符合 RoHS;	Infineon 英飞凌	Infineon

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更多IRFP431供应商更新时间2026-3-14 17:06:00