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IRF830I-HF	文件：100.98 Kbytes Page：4 Pages	N-CHANNEL ENHANCEMENT MODE POWER MOSFET Description APECMOSFETprovidethepowerdesignerwiththebestcombinationoffastswitching,loweron-resistanceandreasonablecost. TheTO-220CFMisolationpackageiswidelypreferredforcommercialindustrialthroughholeapplications. ▼EaseofParalleling ▼FastSwitchingChar	A-POWERAdvanced Power Electronics Corp. 富鼎先进电子富鼎先进电子股份有限公司	A-POWER
IRF830I-HF_14	文件：100.98 Kbytes Page：4 Pages	Fast Switching Characteristic	A-POWERAdvanced Power Electronics Corp. 富鼎先进电子富鼎先进电子股份有限公司	A-POWER
IRF830L	文件：238.5 Kbytes Page：10 Pages	PowerMOSFET FEATURES •Surfacemount •Availableintapeandreel •DynamicdV/dtrating •Repetitiveavalancherated •Fastswitching •Easeofparalleling •Simpledriverequirements •Materialcategorization:fordefinitionsofcompliance pleaseseewww.vishay.com/doc?99912 Note *Thisdatashee	VishayVishay Siliconix 威世科技威世科技半导体	Vishay
IRF830LPBF	文件：238.5 Kbytes Page：10 Pages	PowerMOSFET	VishayVishay Siliconix 威世科技威世科技半导体	Vishay
IRF830PBF	文件：876.43 Kbytes Page：7 Pages	HEXFETPowerMOSFET	IRF International Rectifier	IRF
IRF830PBF	文件：135.96 Kbytes Page：8 Pages	PowerMOSFET DESCRIPTION ThirdgenerationPowerMOSFETsfromVishayprovidethedesignerwiththebestcombinationoffastswitching,ruggedizeddevicedesign,lowon-resistanceandcost-effectiveness.TheTO-220packageisuniversallypreferredforallcommercial-industrialapplicationsatpowerdissipatio	VishayVishay Siliconix 威世科技威世科技半导体	Vishay
IRF830PBF	文件：1.25525 Mbytes Page：6 Pages	5.0A,500VHeatsinkN-ChannelTypePowerMOSFET	THINKISEMIThinki Semiconductor Co., Ltd. 思祁半导体思祁半导体有限公司	THINKISEMI
IRF830PBF	文件：2.01616 Mbytes Page：9 Pages	N-Channel600V(D-S)PowerMOSFET FEATURES •LowgatechargeQgresultsinsimpledrive requirement •Improvedgate,avalancheanddynamicdV/dt ruggedness •Fullycharacterizedcapacitanceandavalanchevoltage andcurrent APPLICATIONS •Switchmodepowersupply(SMPS) •Uninterruptiblepowersupply •Highspee	VBSEMIVBsemi Electronics Co.,Ltd 微碧半导体微碧半导体（台湾）有限公司	VBSEMI
IRF830S	文件：175.73 Kbytes Page：6 Pages	PowerMOSFET(Vdss=500V,Rds(on)=1.5ohm,Id=4.5A) Description ThirdGenerationHEXFETsfromInternationalRectifierprovidethedesignerwiththebestcombinationoffastswitching,ruggedizeddevicedesign,lowon-resistanceandcost-effectiveness. •SurfaceMount •AvailableinTape&Reel •DynamicdV/dtRating •RepetitiveAvalanche	IRF International Rectifier	IRF
IRF830S	文件：2.01524 Mbytes Page：6 Pages	N-ChannelMOSFET ■Features ●VDS(V)=500V ●ID=4.5A(VGS=10V) ●RDS(ON)	KEXINGuangdong Kexin Industrial Co.,Ltd 科信电子广东科信实业有限公司	KEXIN

详细参数

型号：
IRF830I-HF
制造商：
A-POWER
制造商全称：
Advanced Power Electronics Corp.
功能描述：
N-CHANNEL ENHANCEMENT MODE POWER MOSFET

供应商	型号	品牌	批号	封装	库存	备注	价格
上海金庆电子技术有限公司	IRF830I-HF	APEC	全新原装	TO-220CFM(I)	5000	全新原装货期两周	询价
深圳市威尔健半导体有限公司	IRF830I-HF	NEXPERIA/安世	23+	SOD123W	69820	终端可以免费供样,支持BOM配单!	询价
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深圳市创新迹电子有限公司	IRF830I-HF	APEC/富鼎	2022+	TO-220F	30000	进口原装现货供应,原装假一罚十	询价
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深圳市宏捷佳电子科技有限公司	IRF830I-HFTK5A50D	TOSHIBA	25+	TO-TO-220F	12300	独立分销商公司只做原装诚心经营免费试样正品保证	询价
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中天科工半导体（深圳）有限公司	IRF830IR	VISHAY/威世通	20+	na	65790	原装优势主营型号-可开原型号增税票	询价

更多IRF830I-HF供应商更新时间2025-5-22 16:06:00

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