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IRF840LCSTRR	文件：1.028819 Mbytes Page：8 Pages	Power MOSFET DESCRIPTION This new series of low charge Power MOSFETs achieve significantly lower gate charge then conventional Power MOSFETs. Utilizing the new LCDMOS (low charge device Power MOSFETs) technology, the device improvements are achieved without added product cost, allowing for reduced gate drive 文件：1.028819 Mbytes 页数：8 Pages	VishayVishay Siliconix 威世科技	Vishay
IRF840LCSTRRPBF	文件：175.22 Kbytes Page：9 Pages	Power MOSFET DESCRIPTION This new series of low charge Power MOSFETs achieve significantly lower gate charge then conventional Power MOSFETs. Utilizing the new LCDMOS (low charge device Power MOSFETs) technology, the device improvements are achieved without added product cost, allowing for reduced gate drive 文件：175.22 Kbytes 页数：9 Pages	VishayVishay Siliconix 威世科技	Vishay
IRF840LCSTRRPBF	文件：231.4 Kbytes Page：10 Pages	Power MOSFET 文件：231.4 Kbytes 页数：10 Pages	VishayVishay Siliconix 威世科技	Vishay
IRF840PBF	文件：895.33 Kbytes Page：7 Pages	HEXFET POWER MOSFET 文件：895.33 Kbytes 页数：7 Pages	IRF	IRF
IRF840PBF	文件：135.24 Kbytes Page：8 Pages	Power MOSFET DESCRIPTION Third generation Power MOSFETs from Vishay provide the designer with the best combination of fast switching, ruggedized device design, low on-resistance and cost-effectiveness. The TO-220AB package is universally preferred for all commercial-industrial applications at power dissipati 文件：135.24 Kbytes 页数：8 Pages	VishayVishay Siliconix 威世科技	Vishay
IRF840PBF	文件：994.12 Kbytes Page：6 Pages	8.8A,500V Heatsink N-Channel Type Power MOSFET 文件：994.12 Kbytes 页数：6 Pages	THINKISEMI 思祁半导体	THINKISEMI

详细参数

型号：
IRF840LCSTRR
功能描述：
MOSFET N-CH 500V 8A D2PAK
RoHS：
否
类别：
分离式半导体产品 >> FET - 单
系列：
-
标准包装：
1,000
系列：
MESH OVERLAY™ FET
型：
MOSFET N 通道，金属氧化物 FET
特点：
逻辑电平门
漏极至源极电压(Vdss)：
200V 电流 - 连续漏极(Id) @ 25°
C：
18A 开态Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25°
C：
180 毫欧 @ 9A，10V Id 时的
Vgs(th)（最大）：
4V @ 250µA 闸电荷(Qg) @
Vgs：
72nC @ 10V 输入电容(Ciss) @
Vds：
1560pF @ 25V 功率 -
最大：
40W
安装类型：
通孔
封装/外壳：
TO-220-3 整包
供应商设备封装：
TO-220FP
包装：
管件

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