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IRF737LC	文件：119 Kbytes Page：8 Pages	Reduced Gate Drive Requirement DESCRIPTION This new series of low charge Power MOSFETs achieve significantly lower gate charge over conventional Power MOSFETs. Utilizing the new LCDMOS technology, the device improvements are achieved without added product cost, allowing for reduced gate drive requirements and total system savi 文件：119 Kbytes 页数：8 Pages	VishayVishay Siliconix 威世威世科技公司	Vishay
IRF737LC	文件：145.51 Kbytes Page：8 Pages	HEXFET Power MOSFET Description This new series of Low Charge HEXFETs achieve significantly lower gate charge over conventional MOSFETs. Utilizing the new LCDMOS technology, the device improvements are achieved without added product cost, allowing for reduced gate drive requirements and total system savings. In addi 文件：145.51 Kbytes 页数：8 Pages	IRF	IRF
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IRF737LC	文件：300 bytes Page：1 Pages	Reduced Gate Drive Requirement	Vishay 威世	Vishay
IRF737LC	文件：300 bytes Page：1 Pages	HEXFET Power MOSFET	Infineon 英飞凌	Infineon

详细参数

型号：
IRF737LC
功能描述：
MOSFET N-Chan 300V 6.1 Amp
RoHS：
否
制造商：
STMicroelectronics
晶体管极性：
N-Channel
汲极/源极击穿电压：
650 V
闸/源击穿电压：
25 V
漏极连续电流：
130 A 电阻汲极/源极
RDS（导通）：
0.014 Ohms
配置：
Single
安装风格：
Through Hole
封装/箱体：
Max247
封装：
Tube

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