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IRF7101	文件：265.04 Kbytes Page：9 Pages	HEXFET Power MOSFET Description FourthGenerationHEXFETsfromInternationalRectifierutilizeadvancedprocessingtechniquestoachievethelowestpossibleon-resistancepersiliconarea.Thisbenefit,combinedwiththefastswitchingspeedandruggedizeddevicedesignthatHEXFETPowerMOSFETsarewellknownfor,	IRF International Rectifier	IRF
IRF7101PBF	文件：275.91 Kbytes Page：9 Pages	HEXFET짰 Power MOSFET Description FourthGenerationHEXFETsfromInternationalRectifierutilizeadvancedprocessingtechniquestoachievethelowestpossibleon-resistancepersiliconarea.Thisbenefit,combinedwiththefastswitchingspeedandruggedizeddevicedesignthatHEXFETPowerMOSFETsarewellknownfor,	IRF International Rectifier	IRF
IRF7101TRPBF	文件：281.46 Kbytes Page：9 Pages	Adavanced Process Technology Description FourthGenerationHEXFETsfromInternationalRectifierutilizeadvancedprocessingtechniquestoachievethelowestpossibleon-resistancepersiliconarea.Thisbenefit,combinedwiththefastswitchingspeedandruggedizeddevicedesignthatHEXFETPowerMOSFETsarewellknownfor,	IRF International Rectifier	IRF
IRF7102	文件：350.86 Kbytes Page：6 Pages	HEXFET® Power MOSFET Description FourthGenerationHEXFETsfromInternationalRectifierutilizeadvanced processingtechniquestoachievethelowestpossibleon-resistancepersilicon area.Thisbenefit,combinedwiththefastswitchingspeedandruggedizeddevice designthatHEXFETPowerMOSFETsarewellknownfo	IRF International Rectifier	IRF
IRF7103	文件：169.18 Kbytes Page：9 Pages	Power MOSFET(Vdss=50V, Rds(on)=0.130ohm, Id=3.0A) Description FourthGenerationHEXFETsfromInternationalRectifierutilizeadvancedprocessingtechniquestoachievethelowestpossibleon-resistancepersiliconarea.Thisbenefit,combinedwiththefastswitchingspeedandruggedizeddevicedesignthatHEXFETPowerMOSFETsarewellknownfor,	IRF International Rectifier	IRF
IRF7103PBF	文件：273.24 Kbytes Page：9 Pages	HEXFET Power MOSFET Description TheSO-8hasbeenmodifiedthroughacustomizedleadframeforenhancedthermalcharacteristicsanddual-diecapabilitymakingitidealinavarietyofpowerapplications.Withtheseimprovements,multipledevicescanbeusedinanapplicationwithdramaticallyreducedboardspace.The	IRF International Rectifier	IRF
IRF7103Q	文件：169.02 Kbytes Page：10 Pages	Power MOSFET(Vdss=50V) AUTOMOTIVEMOSFET Description SpecificallydesignedforAutomotiveapplications,theseHEXFET®PowerMOSFETsinaDualSO-8packageutilizethelastestprocessingtechniquestoachieveextremelylowon-resistancepersiliconarea.AdditionalfeaturesoftheseAutomotivequalifiedHEXFETPowerMO	IRF International Rectifier	IRF
IRF7103TR	文件：420.2 Kbytes Page：9 Pages	Marking：IRF7103；Package：SOP-8；Dual N-Channel MOSFET Features VDs(v=50V RDpsON)	UMWGuangdong Youtai Semiconductor Co., Ltd. 友台半导体广东友台半导体有限公司	UMW
IRF7103TRPBF	文件：309.95 Kbytes Page：10 Pages	adavanced process technology Description TheSO-8hasbeenmodifiedthroughacustomizedleadframeforenhancedthermalcharacteristicsanddual-diecapabilitymakingitidealinavarietyofpowerapplications.Withtheseimprovements,multipledevicescanbeusedinanapplicationwithdramaticallyreducedboardspace.The	IRF International Rectifier	IRF
IRF7104	文件：158.94 Kbytes Page：9 Pages	HEXFET Power MOSFET Description FourthGenerationHEXFETsfromInternationalRectifierutilizeadvancedprocessingtechniquestoachievethelowestpossibleon-resistancepersiliconarea.Thisbenefit,combinedwiththefastswitchingspeedandruggedizeddevicedesignthatHEXFETPowerMOSFETsarewellknownfor,	IRF International Rectifier	IRF

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详细参数

型号：
IRF710
功能描述：
MOSFET N-Chan 400V 2.0 Amp
RoHS：
否
制造商：
STMicroelectronics
晶体管极性：
N-Channel
汲极/源极击穿电压：
650 V
闸/源击穿电压：
25 V
漏极连续电流：
130 A 电阻汲极/源极
RDS（导通）：
0.014 Ohms
配置：
Single
安装风格：
Through Hole
封装/箱体：
Max247
封装：
Tube

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