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IRF710PBF	文件：1.01954 Mbytes Page：8 Pages	Power MOSFET DESCRIPTION Third generation Power MOSFETs from Vishay provide the designer with the best combination of fast switching, ruggedized device design, low on-resistance and cost-effectiveness. The TO-220 package is universally preferred for all commercial-industrial applications at power dissipa 文件：1.01954 Mbytes 页数：8 Pages	VISHAYVishay Siliconix 威世威世科技公司	VISHAY
IRF710S	文件：181.34 Kbytes Page：9 Pages	Surface Mount DESCRIPTION Third generation Power MOSFETs from Vishay provide the designer with the best combination of fast switching, ruggedized device design, low on-resistance and cost-effectiveness. The D2PAK (TO-263) is a surface mount power package capable of accommodating die size up to HEX-4. It provid 文件：181.34 Kbytes 页数：9 Pages	VISHAYVishay Siliconix 威世威世科技公司	VISHAY
IRF710S	文件：219.19 Kbytes Page：9 Pages	Power MOSFET FEATURES • Surface-mount • Available in tape and reel • Dynamic dv/dt rating • Repetitive avalanche rated • Fast switching • Ease of paralleling • Simple drive requirements • Material categorization: for definitions of compliance please see www.vishay.com/doc?99912 Note * This datashee 文件：219.19 Kbytes 页数：9 Pages	VISHAYVishay Siliconix 威世威世科技公司	VISHAY
IRF710S	文件：168.08 Kbytes Page：6 Pages	HEXFET Power MOSFET HEXFET® Power MOSFET 文件：168.08 Kbytes 页数：6 Pages	IRF	IRF
IRF710S_V01	文件：219.19 Kbytes Page：9 Pages	Power MOSFET FEATURES • Surface-mount • Available in tape and reel • Dynamic dv/dt rating • Repetitive avalanche rated • Fast switching • Ease of paralleling • Simple drive requirements • Material categorization: for definitions of compliance please see www.vishay.com/doc?99912 Note * This datashee 文件：219.19 Kbytes 页数：9 Pages	VISHAYVishay Siliconix 威世威世科技公司	VISHAY
IRF710SPBF	文件：1.69044 Mbytes Page：9 Pages	HEXFET짰 Power MOSFET 400V N-Channel MOSFET 文件：1.69044 Mbytes 页数：9 Pages	IRF	IRF
IRF710_17	文件：284.58 Kbytes Page：9 Pages	Power MOSFET 文件：284.58 Kbytes 页数：9 Pages	VISHAYVishay Siliconix 威世威世科技公司	VISHAY
IRF710_V01	文件：159.88 Kbytes Page：8 Pages	Power MOSFET FEATURES 文件：159.88 Kbytes 页数：8 Pages	VISHAYVishay Siliconix 威世威世科技公司	VISHAY
IRF7101PBF_15	文件：281.46 Kbytes Page：9 Pages	ADVANCED PROCESS TECHNOLOGY 文件：281.46 Kbytes 页数：9 Pages	IRF	IRF
IRF7101TRPBF	文件：1.73329 Mbytes Page：7 Pages	Dual N-Channel 20-V (D-S) MOSFET 文件：1.73329 Mbytes 页数：7 Pages	VBSEMI 微碧半导体	VBSEMI

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技术参数

Minimum Operating Temperature：
-55°C
Maximum Power Dissipation：
36000mW
Maximum Operating Temperature：
150°C
Maximum Gate Source Voltage：
±20V
Maximum Drain Source Voltage：
400V
Maximum Continuous Drain Current：
2A
Material：
Si
Configuration：
Single
Channel Type：
N
Channel Mode：
Enhancement
Category：
Power MOSFET

供应商	型号	品牌	批号	封装	库存	备注	价格
深圳市高捷芯城科技有限公司	IRF710	onsemi(安森美)	25+	TO-220AB	22412	正规渠道,免费送样。支持账期,BOM一站式配齐	询价
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深圳市联世界科技有限公司	IRF710	IR	24+/25+		26	原装正品现货库存价优	询价
深圳市卓越微芯电子有限公司	IRF710	IR	25+	TO-220	22	百分百原装正品真实公司现货库存本公司只做原装可	询价
芯有半导体（深圳）有限公司	IRF710	IR	06+	TO-220	8000	原装库存	询价
深圳市勤思达科技有限公司	IRF710	IR	15+	TO-220	11560	全新原装,现货库存,长期供应	询价
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深圳市弘为电子有限公司	IRF710	VISHAY/IR	24+	原厂封装	550	原装现货假一罚十	询价
深圳市欧立现代科技有限公司	IRF710	IR	24+	原装	6980	原装现货,可开13%税票	询价

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