| 型号 | 下载 订购 | 功能描述 | 制造商 上传企业 | LOGO |
|---|---|---|---|---|
ADVANCED PROCESS TECHNOLOGY 文件：307.9 Kbytes 页数：10 Pages | IRF | IRF | ||
ADVANCED PROCESS TECHNOLOGY 文件：307.9 Kbytes 页数：10 Pages | IRF | IRF | ||
Industry-standard pinout SO-8 Package 文件：615.6 Kbytes 页数：10 Pages | IRF | IRF | ||
Industry-standard pinout SO-8 Package 文件：615.6 Kbytes 页数：10 Pages | IRF | IRF | ||
HEXFET POWER MOSFET 文件：316.98 Kbytes 页数：10 Pages | IRF | IRF | ||
HEXFETPOWERMOSFET 文件：316.98 Kbytes 页数：10 Pages | IRF | IRF | ||
Advanced Process Technology 文件：609.83 Kbytes 页数：11 Pages | IRF | IRF | ||
HEXFET Power MOSFET 文件：298.99 Kbytes 页数：10 Pages | SYC | SYC | ||
N- and P-Channel 30 V (D-S) MOSFET 文件：1.44766 Mbytes 页数：14 Pages | VBSEMI 微碧半导体 | VBSEMI | ||
HEXFET짰 Power MOSFET 文件：225.67 Kbytes 页数：7 Pages | IRF | IRF |
技术参数
- Minimum Operating Temperature：
-55°C
- Maximum Power Dissipation：
36000mW
- Maximum Operating Temperature：
150°C
- Maximum Gate Source Voltage：
±20V
- Maximum Drain Source Voltage：
400V
- Maximum Continuous Drain Current：
2A
- Material：
Si
- Configuration：
Single
- Channel Type：
N
- Channel Mode：
Enhancement
- Category：
Power MOSFET
| 供应商 | 型号 | 品牌 | 批号 | 封装 | 库存 | 备注 | 价格 |
|---|---|---|---|---|---|---|---|
onsemi(安森美) |
25+ |
TO-220AB |
22412 |
正规渠道,免费送样。支持账期,BOM一站式配齐 |
询价 | ||
IR |
2015+ |
TO-220 |
19889 |
一级代理原装现货,特价热卖! |
询价 | ||
IR |
25+ |
PLCC |
18000 |
原厂直接发货进口原装 |
询价 | ||
IR |
24+/25+ |
26 |
原装正品现货库存价优 |
询价 | |||
IR |
25+ |
TO-220 |
22 |
百分百原装正品 真实公司现货库存 本公司只做原装 可 |
询价 | ||
IR |
06+ |
TO-220 |
8000 |
原装库存 |
询价 | ||
IR |
15+ |
TO-220 |
11560 |
全新原装,现货库存,长期供应 |
询价 | ||
SEC |
23+ |
34-PCM |
5000 |
原装正品,假一罚十 |
询价 | ||
VISHAY/IR |
24+ |
原厂封装 |
550 |
原装现货假一罚十 |
询价 | ||
IR |
24+ |
原装 |
6980 |
原装现货,可开13%税票 |
询价 |
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更新时间2026-1-18 9:38:00
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