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IRF840LCLPBF	文件：1.028819 Mbytes Page：8 Pages	PowerMOSFET DESCRIPTION ThisnewseriesoflowchargePowerMOSFETsachievesignificantlylowergatechargethenconventionalPowerMOSFETs.UtilizingthenewLCDMOS(lowchargedevicePowerMOSFETs)technology,thedeviceimprovementsareachievedwithoutaddedproductcost,allowingforreducedgatedrive	VishayVishay Siliconix 威世科技威世科技半导体	Vishay
IRF840LCLPBF	文件：231.4 Kbytes Page：10 Pages	PowerMOSFET	VishayVishay Siliconix 威世科技威世科技半导体	Vishay
IRF840LCPBF	文件：157.63 Kbytes Page：8 Pages	PowerMOSFET	VishayVishay Siliconix 威世科技威世科技半导体	Vishay
IRF840LCPBF	文件：1.51385 Mbytes Page：8 Pages	PowerMOSFET DESCRIPTION ThisnewseriesoflowchargePowerMOSFETsachievesigniticantlylowergatechargeoverconventionalMOSFETs.UtilizingthenewLCDMOStechnology,thedeviceimprovementsareachievedwithoutaddedproductcost,allowingforreducedgatedriverequirementsandtotalsystemsavings.I	VishayVishay Siliconix 威世科技威世科技半导体	Vishay
IRF840LCPBF	文件：993.4 Kbytes Page：8 Pages	HEXFETPowerMOSFET	IRFInternational Rectifier 英飞凌英飞凌科技公司	IRF
IRF840LCS	文件：156.42 Kbytes Page：2 Pages	PowerMOSFET	TEL TRANSYS Electronics Limited	TEL
IRF840LCS	文件：173.93 Kbytes Page：10 Pages	PowerMOSFET(Vdss=500V,Rds(on)=0.85ohm,Id=8.0A) Description ThisnewseriesoflowchargeHEXFET®powerMOSFETsachievesignificantlowergatechargeoverconventionalMOSFETs.UtilizingthenewLCDMOS(lowchargedeviceMOSFETs)technology,thedeviceimprovementsareachievedwithoutaddedproductcost,allowingforreducegatedriverequirem	IRFInternational Rectifier 英飞凌英飞凌科技公司	IRF
IRF840LCS	文件：1.028819 Mbytes Page：8 Pages	PowerMOSFET DESCRIPTION ThisnewseriesoflowchargePowerMOSFETsachievesignificantlylowergatechargethenconventionalPowerMOSFETs.UtilizingthenewLCDMOS(lowchargedevicePowerMOSFETs)technology,thedeviceimprovementsareachievedwithoutaddedproductcost,allowingforreducedgatedrive	VishayVishay Siliconix 威世科技威世科技半导体	Vishay
IRF840LCS	文件：175.22 Kbytes Page：9 Pages	PowerMOSFET DESCRIPTION ThisnewseriesoflowchargePowerMOSFETsachievesignificantlylowergatechargethenconventionalPowerMOSFETs.UtilizingthenewLCDMOS(lowchargedevicePowerMOSFETs)technology,thedeviceimprovementsareachievedwithoutaddedproductcost,allowingforreducedgatedrive	VishayVishay Siliconix 威世科技威世科技半导体	Vishay
IRF840LCS	文件：231.4 Kbytes Page：10 Pages	PowerMOSFET FEATURES •Ultralowgatecharge •Reducedgatedriverequirement •Enhanced30VVGSrating •ReducedCiss,Coss,Crss •Extremelyhighfrequencyoperation •Repetitiveavalancherated •Materialcategorization:fordefinitionsof compliancepleaseseewww.vishay.com/doc?99912 Note *Th	VishayVishay Siliconix 威世科技威世科技半导体	Vishay
IRF840LCSPBF	文件：231.4 Kbytes Page：10 Pages	PowerMOSFET	VishayVishay Siliconix 威世科技威世科技半导体	Vishay
IRF840LCSPBF	文件：1.028819 Mbytes Page：8 Pages	PowerMOSFET DESCRIPTION ThisnewseriesoflowchargePowerMOSFETsachievesignificantlylowergatechargethenconventionalPowerMOSFETs.UtilizingthenewLCDMOS(lowchargedevicePowerMOSFETs)technology,thedeviceimprovementsareachievedwithoutaddedproductcost,allowingforreducedgatedrive	VishayVishay Siliconix 威世科技威世科技半导体	Vishay
IRF840LCSTRR	文件：1.028819 Mbytes Page：8 Pages	PowerMOSFET DESCRIPTION ThisnewseriesoflowchargePowerMOSFETsachievesignificantlylowergatechargethenconventionalPowerMOSFETs.UtilizingthenewLCDMOS(lowchargedevicePowerMOSFETs)technology,thedeviceimprovementsareachievedwithoutaddedproductcost,allowingforreducedgatedrive	VishayVishay Siliconix 威世科技威世科技半导体	Vishay
IRF840LCSTRRPBF	文件：175.22 Kbytes Page：9 Pages	PowerMOSFET DESCRIPTION ThisnewseriesoflowchargePowerMOSFETsachievesignificantlylowergatechargethenconventionalPowerMOSFETs.UtilizingthenewLCDMOS(lowchargedevicePowerMOSFETs)technology,thedeviceimprovementsareachievedwithoutaddedproductcost,allowingforreducedgatedrive	VishayVishay Siliconix 威世科技威世科技半导体	Vishay
IRF840LCSTRRPBF	文件：231.4 Kbytes Page：10 Pages	PowerMOSFET	VishayVishay Siliconix 威世科技威世科技半导体	Vishay
IRF840PBF	文件：994.12 Kbytes Page：6 Pages	8.8A,500VHeatsinkN-ChannelTypePowerMOSFET	THINKISEMIThinki Semiconductor Co., Ltd. 思祁半导体思祁半导体有限公司	THINKISEMI
IRF840PBF	文件：135.24 Kbytes Page：8 Pages	PowerMOSFET DESCRIPTION ThirdgenerationPowerMOSFETsfromVishayprovidethedesignerwiththebestcombinationoffastswitching,ruggedizeddevicedesign,lowon-resistanceandcost-effectiveness. TheTO-220ABpackageisuniversallypreferredforallcommercial-industrialapplicationsatpowerdissipati	VishayVishay Siliconix 威世科技威世科技半导体	Vishay
IRF840PBF	文件：895.33 Kbytes Page：7 Pages	HEXFETPOWERMOSFET	IRFInternational Rectifier 英飞凌英飞凌科技公司	IRF
IRF840S	文件：145.74 Kbytes Page：1 Pages	PowerMOSFET	TEL TRANSYS Electronics Limited	TEL
IRF840S	文件：172.32 Kbytes Page：6 Pages	PowerMOSFET(Vdss=500V,Rds(on)=0.85ohm,Id=8.0A) Description ThirdGenerationHEXFETsfromInternationalRectifierprovidethedesignerwiththebestcombinationoffastswitching,ruggedizeddevicedesign,lowon-resistanceandcost-effectiveness. TheSMD-220isasurfacemountpowerpackagecapableofaccommodatingdiesizesuptoHEX-4.It	IRFInternational Rectifier 英飞凌英飞凌科技公司	IRF

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详细参数

型号：
IRC840
制造商：
IRF
制造商全称：
International Rectifier
功能描述：
Power MOSFET(Vdss=500V, Rds(on)=0.85ohm, Id=8.0A)

供应商	型号	品牌	批号	封装	库存	备注	价格
深圳市一线半导体有限公司	IRC840	IR	08+(pbfree)	TO-2205-Pin(HEXSen	8866		询价
深圳市弘为电子有限公司	IRC840	IR	16+	原厂封装	2000	原装现货假一罚十	询价
深圳市科恒伟业电子有限公司	IRC840	IR	2016+	TO-220-5	6528	房间原装进口现货假一赔十	询价
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更多IRC840供应商更新时间2024-6-14 16:30:00

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