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IPI530N15N3G	文件：979.65 Kbytes Page：12 Pages	OptiMOS3 Power-Transistor Features • N-channel, normal level • Excellent gate charge x R DS(on) product (FOM) • Very low on-resistance R DS(on) • 175 °C operating temperature • Pb-free lead plating; RoHS compliant; Halogen Free • Qualified according to JEDEC1) for target application • Ideal for high-frequency switch 文件：979.65 Kbytes 页数：12 Pages	INFINEON 英飞凌	INFINEON
IPI530N15N3G	文件：967.66 Kbytes Page：12 Pages	N-channel, normal level 文件：967.66 Kbytes 页数：12 Pages	INFINEON 英飞凌	INFINEON
IPP530N15N3	文件：338.83 Kbytes Page：2 Pages	N-Channel MOSFET Transistor 文件：338.83 Kbytes 页数：2 Pages	ISC 无锡固电	ISC
IPP530N15N3G	文件：362.22 Kbytes Page：2 Pages	N-Channel MOSFET Transistor FEATURES · Drain Current -ID= 21A@ TC=25℃ · Drain Source Voltage -VDSS= 150V(Min) · Static Drain-Source On-Resistance -RDS(on) = 53mΩ(Max)@VGS= 10V DESCRIPTION · DC-DC Converters · Motor Drive · Power Switch 文件：362.22 Kbytes 页数：2 Pages	ISC 无锡固电	ISC
IPP530N15N3G	文件：967.66 Kbytes Page：12 Pages	N-channel, normal level 文件：967.66 Kbytes 页数：12 Pages	INFINEON 英飞凌	INFINEON

更多IPI530N15N3G供应商更新时间2026-2-9 8:05:00