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IPI60R520CP	文件：546.02 Kbytes Page：10 Pages	CoolMOS Power Transistor Features •Lowestfigure-of-meritRonxQg •Ultralowgatecharge •Extremedv/dtrated •Highpeakcurrentcapability •QualifiedforindustrialgradeapplicationsaccordingtoJEDEC1) •Pb-freeleadplating;RoHScompliant;Halogenfreemoldcompound CoolMOSCPisdesignedfor: •Hards	InfineonInfineon Technologies AG 英飞凌英飞凌科技股份公司	Infineon
IPI60R520CP	文件：331.22 Kbytes Page：2 Pages	isc N-Channel MOSFET Transistor •DESCRIPTION •Ultralowgatecharge •Highpeakcurrentcapability •FEATURES •Staticdrain-sourceon-resistance: RDS(on)≤0.52Ω •Enhancementmode •FastSwitchingSpeed •100avalanchetested •MinimumLot-to-Lotvariationsforrobustdevice performanceandreliableoperation	ISCInchange Semiconductor Company Limited 无锡固电无锡固电半导体股份有限公司	ISC
HCD60R520T	文件：396.89 Kbytes Page：9 Pages	Extremelylowswitchingloss	SEMIHOW SemiHow Co.,Ltd.	SEMIHOW
HCS60R520T	文件：201.32 Kbytes Page：7 Pages	Excellentstabilityanduniformity	SEMIHOW SemiHow Co.,Ltd.	SEMIHOW
HCU60R520T	文件：396.89 Kbytes Page：9 Pages	Extremelylowswitchingloss	SEMIHOW SemiHow Co.,Ltd.	SEMIHOW
IIPD60R520CP	文件：335.93 Kbytes Page：2 Pages	N-ChannelMOSFETTransistor •DESCRITION •Highpeakcurrentcapability •FEATURES •Staticdrain-sourceon-resistance: RDS(on)≤0.52Ω •Enhancementmode: •100avalanchetested •MinimumLot-to-Lotvariationsforrobustdevice performanceandreliableoperation	ISCInchange Semiconductor Company Limited 无锡固电无锡固电半导体股份有限公司	ISC
IIPP60R520CP	文件：338.74 Kbytes Page：2 Pages	N-ChannelMOSFETTransistor •DESCRIPTION •Ultralowgatecharge •Highpeakcurrentcapability •FEATURES •Staticdrain-sourceon-resistance: RDS(on)≤0.52Ω •Enhancementmode •FastSwitchingSpeed •100avalanchetested •MinimumLot-to-Lotvariationsforrobustdevice performanceandreliableoperation	ISCInchange Semiconductor Company Limited 无锡固电无锡固电半导体股份有限公司	ISC
IPA60R520CP	文件：563.45 Kbytes Page：10 Pages	CoolMosPowerTransistor Features •Lowestfigure-of-meritRonxQg •Ultralowgatecharge •Extremedv/dtrated •Highpeakcurrentcapability •QualifiedforindustrialgradeapplicationsaccordingtoJEDEC1) •Pb-freeleadplating;RoHScompliant;Halogenfreemoldcompound CoolMOSCPisdesignedfor: •Hards	InfineonInfineon Technologies AG 英飞凌英飞凌科技股份公司	Infineon
IPA60R520CP	文件：260.43 Kbytes Page：2 Pages	IscN-ChannelMOSFETTransistor •FEATURES •WithTO-220Fpackage •Lowinputcapacitanceandgatecharge •Lowgateinputresistance •Reducedswitchingandconductionlosses •100avalanchetested •MinimumLot-to-Lotvariationsforrobustdevice performanceandreliableoperation •APPLICATIONS •Switchingapplica	ISCInchange Semiconductor Company Limited 无锡固电无锡固电半导体股份有限公司	ISC
IPB60R520CP	文件：189.23 Kbytes Page：2 Pages	IscN-ChannelMOSFETTransistor •FEATURES •WithTo-263(D2PAK)package •Lowinputcapacitanceandgatecharge •Lowgateinputresistance •100avalanchetested •MinimumLot-to-Lotvariationsforrobustdevice performanceandreliableoperation •APPLICATIONS •Switchingapplications	ISCInchange Semiconductor Company Limited 无锡固电无锡固电半导体股份有限公司	ISC

详细参数

型号：
IPI60R520CP
功能描述：
MOSFET N-CH 600V 6.8A TO-262
RoHS：
是
类别：
分离式半导体产品 >> FET - 单
系列：
CoolMOS™
标准包装：
1,000
系列：
MESH OVERLAY™ FET
型：
MOSFET N 通道，金属氧化物 FET
特点：
逻辑电平门
漏极至源极电压(Vdss)：
200V 电流 - 连续漏极(Id) @ 25°
C：
18A 开态Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25°
C：
180 毫欧 @ 9A，10V Id 时的
Vgs(th)（最大）：
4V @ 250µA 闸电荷(Qg) @
Vgs：
72nC @ 10V 输入电容(Ciss) @
Vds：
1560pF @ 25V 功率 -
最大：
40W
安装类型：
通孔
封装/外壳：
TO-220-3 整包
供应商设备封装：
TO-220FP
包装：
管件

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