IPP530N15N3G中文资料下载行情报价英飞凌-114ic电子网

零件型号	下载订购	功能描述	制造商上传企业
IPP530N15N3G	文件：362.22 Kbytes Page：2 Pages	N-Channel MOSFET Transistor FEATURES ·DrainCurrent-ID=21A@TC=25℃ ·DrainSourceVoltage-VDSS=150V(Min) ·StaticDrain-SourceOn-Resistance -RDS(on)=53mΩ(Max)@VGS=10V DESCRIPTION ·DC-DCConverters ·MotorDrive ·PowerSwitch	ISCInchange Semiconductor Company Limited 无锡固电无锡固电半导体股份有限公司
IPP530N15N3G	文件：979.65 Kbytes Page：12 Pages	OptiMOS3 Power-Transistor Features •N-channel,normallevel •ExcellentgatechargexRDS(on)product(FOM) •Verylowon-resistanceRDS(on) •175°Coperatingtemperature •Pb-freeleadplating;RoHScompliant;HalogenFree •QualifiedaccordingtoJEDEC1)fortargetapplication •Idealforhigh-frequencyswitch	InfineonInfineon Technologies AG 英飞凌英飞凌科技股份公司
IPP530N15N3G	文件：967.66 Kbytes Page：12 Pages	N-channel, normal level	InfineonInfineon Technologies AG 英飞凌英飞凌科技股份公司
IIPD530N15N3	文件：336.1 Kbytes Page：2 Pages	N-ChannelMOSFETTransistor	ISCInchange Semiconductor Company Limited 无锡固电无锡固电半导体股份有限公司
IIPP530N15N3	文件：338.83 Kbytes Page：2 Pages	N-ChannelMOSFETTransistor	ISCInchange Semiconductor Company Limited 无锡固电无锡固电半导体股份有限公司
IPB530N15N3	文件：188.86 Kbytes Page：2 Pages	IscN-ChannelMOSFETTransistor	ISCInchange Semiconductor Company Limited 无锡固电无锡固电半导体股份有限公司

更多IPP530N15N3G供应商更新时间2025-8-1 23:00:00