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技术参数

技术：
MOSFET（金属氧化物）
漏源电压（Vdss）：
30V
电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时）：
80A（Tc）
驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）：
4.5V，10V
不同 Id，Vgs 时的 Rds On（最大值）：
2.7毫欧 @ 80A，10V
不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值）：
2.2V @ 90µA
不同 Vgs 时的栅极电荷（Qg）（最大值）：
140nC @ 10V
Vgs（最大值）：
±16V
不同 Vds 时的输入电容（Ciss）（最大值）：
9750pF @ 25V
功率耗散（最大值）：
136W（Tc）
工作温度：
-55°C ~ 175°C（TJ）
安装类型：
通孔
供应商器件封装：
PG-TO262-3
封装/外壳：
TO-262-3，长引线，I²Pak，TO-262AA

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