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IPL60R075CFD7	文件：4.68189 Mbytes Page：44 Pages	3300 W 54 V bi-directional phase-shift fullbridge with 600 V CoolMOS CFD7 and XMC Scopeandpurpose ThisdocumentintroducesacompleteInfineonTechnologiesAGsystemsolutionfora3300Wbi-directional DC-DCconverterthatachieves98percentefficiencyinbuckmodeand97percentinboostmode.The EVAL_3K3W_BIDI_PSFBboardisaDC-DCstagewithtelecom-leveloutputreal	InfineonInfineon Technologies AG 英飞凌英飞凌科技股份公司
IPL60R075CFD7	文件：300 bytes Page：1 Pages	Infineon’s answer to resonant high power topologies The 600V CoolMOS™ CFD7 is Infineon’s latest high voltage superjunction MOSFET technology with integrated fast body diode, completing the CoolMOS™ 7 series. CoolMOS™ CFD7 comes with reduced gate charge (Qg), improved turn-off behavior and a reverse recovery charge (Qrr) of up to 69% lower compare; • Ultra-fast body diode\n• Best-in-class reverse recovery charge (Qrr)\n• Improved reverse diode dv/dt and dif/dt ruggedness\n• Lowest FOM RDS(on) x Qg and Eoss\n• Best-in-class RDS(on)/package combinations\n\n优势:\n• Best-in-class hard commutation ruggedness\n• Highest reliability for resonant topol;	InfineonInfineon Technologies AG 英飞凌英飞凌科技股份公司
IPL60R075CFD7	文件：1.41918 Mbytes Page：14 Pages	丝印：60R075F7；Package：PG-VSON-4；600V CoolMOS짧 CFD7 Power Transistor	InfineonInfineon Technologies AG 英飞凌英飞凌科技股份公司
IPT60R075CFD7	文件：1.29047 Mbytes Page：14 Pages	600VCoolMOS짧CFD7PowerTransistor	InfineonInfineon Technologies AG 英飞凌英飞凌科技股份公司
IPL60R075CFD7	文件：0 bytes Page：0 Pages	INFINEON/英飞凌 VSON-4	INFINEON/英飞凌上传：深圳市恒佳微电子有限公司	INFINEON/英飞凌

技术参数

OPN：
IPL60R075CFD7AUMA1
Qualification：
Non-Automotive
Package name：
PG-VSON-4
VDS max：
600 V
RDS (on) @10V max：
75 mΩ
ID @25°C max：
33 A
QG typ @10V：
67 nC
Special Features：
fast recovery diode
Polarity：
N
Operating Temperature min：
-40 °C
Operating Temperature max：
150 °C
VGS(th) min：
3.5 V
VGS(th) max：
4.5 V
Technology：
CoolMOS™ CFD7

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