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IPI60R299CP	文件：317.27 Kbytes Page：10 Pages	CoolMOS Power Transistor Features •Lowestfigure-of-meritRONxQg •Ultralowgatecharge •Extremedv/dtrated •Highpeakcurrentcapability •QualifiedaccordingtoJEDEC1)fortargetapplications •Pb-freeleadplating;RoHScompliant CoolMOSCPisspeciallydesignedfor: HardswitchingSMPStopologies	InfineonInfineon Technologies AG 英飞凌英飞凌科技股份公司	Infineon
IPI60R299CP	文件：331.2 Kbytes Page：2 Pages	isc N-Channel MOSFET Transistor •DESCRIPTION •Ultralowgatecharge •Highpeakcurrentcapability •FEATURES •Staticdrain-sourceon-resistance: RDS(on)≤0.299Ω •Enhancementmode •FastSwitchingSpeed •100avalanchetested •MinimumLot-to-Lotvariationsforrobustdevice performanceandreliableoperation	ISCInchange Semiconductor Company Limited 无锡固电无锡固电半导体股份有限公司	ISC
IPL60R299CP	文件：1.65794 Mbytes Page：13 Pages	MetalOxideSemiconductorFieldEffectTransistor	InfineonInfineon Technologies AG 英飞凌英飞凌科技股份公司	Infineon
IPL60R299CP	文件：1.5987 Mbytes Page：13 Pages	600VCoolMOSCPPowerTransistor Description TheCoolMOS™CPseriesoffersdeviceswhichprovideallbenefitsofafastswitchingSJMOSFETwhilenotsacrificingeaseofuse.Extremelylowswitchingandconductionlossesmakeswitchingapplicationsevenmoreefficient,morecompact,lighter,andcooler. Features •Reducedboar	InfineonInfineon Technologies AG 英飞凌英飞凌科技股份公司	Infineon
IPP60R299CP	文件：334.48 Kbytes Page：10 Pages	CoolMOSPowerTransistor CoolMOS®PowerTransistor Features •Lowestfigure-of-meritRONxQg •Ultralowgatecharge •Extremedv/dtrated •Highpeakcurrentcapability •QualifiedaccordingtoJEDEC1)fortargetapplications •Pb-freeleadplating;RoHScompliant CoolMOSCPisspeciallydesignedfor: Hardswi	InfineonInfineon Technologies AG 英飞凌英飞凌科技股份公司	Infineon
IPP60R299CP	文件：274.98 Kbytes Page：10 Pages	CoolMOSPowerTransistor	InfineonInfineon Technologies AG 英飞凌英飞凌科技股份公司	Infineon
IPP60R299CP	文件：338.7 Kbytes Page：2 Pages	N-ChannelMOSFETTransistor •DESCRIPTION •Ultralowgatecharge •Highpeakcurrentcapability •FEATURES •Staticdrain-sourceon-resistance: RDS(on)≤0.299Ω •Enhancementmode •FastSwitchingSpeed •100avalanchetested •MinimumLot-to-Lotvariationsforrobustdevice performanceandreliableoperation	ISCInchange Semiconductor Company Limited 无锡固电无锡固电半导体股份有限公司	ISC
IPW60R299CP	文件：335.91 Kbytes Page：2 Pages	N-ChannelMOSFETTransistor •DESCRITION •Highpeakcurrentcapability •FEATURES •Staticdrain-sourceon-resistance: RDS(on)≤299mΩ •Enhancementmode: •100avalanchetested •MinimumLot-to-Lotvariationsforrobustdevice performanceandreliableoperation	ISCInchange Semiconductor Company Limited 无锡固电无锡固电半导体股份有限公司	ISC
IPW60R299CP	文件：777.27 Kbytes Page：11 Pages	CoolMOSPowerTransistor	InfineonInfineon Technologies AG 英飞凌英飞凌科技股份公司	Infineon
IPW60R299CP	文件：353.31 Kbytes Page：10 Pages	CoolMOSPowerTransistor Features •Lowestfigure-of-meritRonxQg •Ultralowgatecharge •Extremedv/dtrated •Highpeakcurrentcapability •QualifiedforindustrialgradeapplicationsaccordingtoJEDEC1) •Pb-freeleadplating;RoHScompliant CoolMOSCPisdesignedfor: HardswitchingSMPStopologies	InfineonInfineon Technologies AG 英飞凌英飞凌科技股份公司	Infineon

详细参数

型号：
IPI60R299CP
功能描述：
MOSFET N-CH 600V 11A I2PAK
RoHS：
是
类别：
分离式半导体产品 >> FET - 单
系列：
CoolMOS™
标准包装：
1,000
系列：
MESH OVERLAY™ FET
型：
MOSFET N 通道，金属氧化物 FET
特点：
逻辑电平门
漏极至源极电压(Vdss)：
200V 电流 - 连续漏极(Id) @ 25°
C：
18A 开态Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25°
C：
180 毫欧 @ 9A，10V Id 时的
Vgs(th)（最大）：
4V @ 250µA 闸电荷(Qg) @
Vgs：
72nC @ 10V 输入电容(Ciss) @
Vds：
1560pF @ 25V 功率 -
最大：
40W
安装类型：
通孔
封装/外壳：
TO-220-3 整包
供应商设备封装：
TO-220FP
包装：
管件

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