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IPI60R299CP中文资料无锡固电数据手册PDF规格书

IPI60R299CP
厂商型号

IPI60R299CP

功能描述

isc N-Channel MOSFET Transistor

文件大小

331.2 Kbytes

页面数量

2

生产厂商 Inchange Semiconductor Company Limited
企业简称

ISC无锡固电

中文名称

无锡固电半导体股份有限公司官网

原厂标识
数据手册

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更新时间

2024-9-21 8:30:00

IPI60R299CP规格书详情

• DESCRIPTION

• Ultra low gate charge

• High peak current capability

• FEATURES

• Static drain-source on-resistance:

RDS(on) ≤0.299Ω

• Enhancement mode

• Fast Switching Speed

• 100 avalanche tested

• Minimum Lot-to-Lot variations for robust device

performance and reliable operation

产品属性

  • 型号:

    IPI60R299CP

  • 功能描述:

    MOSFET N-CH 600V 11A I2PAK

  • RoHS:

  • 类别:

    分离式半导体产品 >> FET - 单

  • 系列:

    CoolMOS™

  • 标准包装:

    1,000

  • 系列:

    MESH OVERLAY™ FET

  • 型:

    MOSFET N 通道,金属氧化物 FET

  • 特点:

    逻辑电平门

  • 漏极至源极电压(Vdss):

    200V 电流 - 连续漏极(Id) @ 25°

  • C:

    18A 开态Rds(最大)@ Id, Vgs @ 25°

  • C:

    180 毫欧 @ 9A,10V Id 时的

  • Vgs(th)(最大):

    4V @ 250µA 闸电荷(Qg) @

  • Vgs:

    72nC @ 10V 输入电容(Ciss) @

  • Vds:

    1560pF @ 25V 功率 -

  • 最大:

    40W

  • 安装类型:

    通孔

  • 封装/外壳:

    TO-220-3 整包

  • 供应商设备封装:

    TO-220FP

  • 包装:

    管件

供应商 型号 品牌 批号 封装 库存 备注 价格
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