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IPI60R250CP	文件：280.27 Kbytes Page：10 Pages	CoolMOSTM Power Transistor Features •Lowestfigure-of-meritRONxQg •Ultralowgatecharge •Extremedv/dtrated •Highpeakcurrentcapability •QualifiedaccordingtoJEDEC1)fortargetapplications •Pb-freeleadplating;RoHScompliant CoolMOSCPisdesignedfor: HardswitchingSMPStopologies	InfineonInfineon Technologies AG 英飞凌英飞凌科技股份公司	Infineon
IPI60R250CP	文件：331.13 Kbytes Page：2 Pages	isc N-Channel MOSFET Transistor •DESCRIPTION •Ultralowgatecharge •Highpeakcurrentcapability •FEATURES •Staticdrain-sourceon-resistance: RDS(on)≤0.25Ω •Enhancementmode •FastSwitchingSpeed •100avalanchetested •MinimumLot-to-Lotvariationsforrobustdevice performanceandreliableoperation	ISCInchange Semiconductor Company Limited 无锡固电无锡固电半导体股份有限公司	ISC
60R250	文件：417.9 Kbytes Page：5 Pages	POLYFUSE짰ResettablePTCs	Littelfuselittelfuse 力特力特公司	Littelfuse
60R250	文件：210.24 Kbytes Page：7 Pages	RadialLeaded	Littelfuselittelfuse 力特力特公司	Littelfuse
60R250	文件：152.05 Kbytes Page：2 Pages	RadialLeadedPTC	Littelfuselittelfuse 力特力特公司	Littelfuse
60R250XF	文件：210.24 Kbytes Page：7 Pages	RadialLeaded	Littelfuselittelfuse 力特力特公司	Littelfuse
60R250XMR	文件：210.24 Kbytes Page：7 Pages	RadialLeaded	Littelfuselittelfuse 力特力特公司	Littelfuse
IIPP60R250CP	文件：338.66 Kbytes Page：2 Pages	N-ChannelMOSFETTransistor •DESCRIPTION •Ultralowgatecharge •Highpeakcurrentcapability •FEATURES •Staticdrain-sourceon-resistance: RDS(on)≤0.25Ω •Enhancementmode •FastSwitchingSpeed •100avalanchetested •MinimumLot-to-Lotvariationsforrobustdevice performanceandreliableoperation	ISCInchange Semiconductor Company Limited 无锡固电无锡固电半导体股份有限公司	ISC
IIPW60R250CP	文件：335.85 Kbytes Page：2 Pages	N-ChannelMOSFETTransistor •DESCRITION •Highpeakcurrentcapability •FEATURES •Staticdrain-sourceon-resistance: RDS(on)≤250mΩ •Enhancementmode: •100avalanchetested •MinimumLot-to-Lotvariationsforrobustdevice performanceandreliableoperation	ISCInchange Semiconductor Company Limited 无锡固电无锡固电半导体股份有限公司	ISC
IPA60R250CP	文件：560.84 Kbytes Page：10 Pages	CoolMosPowerTransistor Features •Lowestfigure-of-meritRONxQg •Ultralowgatecharge •Extremedv/dtrated •Highpeakcurrentcapability •QualifiedaccordingtoJEDEC1)fortargetapplications •Pb-freeleadplating;RoHScompliant CoolMOSCPisdesignedfor: •HardswitchingSMPStopologies	InfineonInfineon Technologies AG 英飞凌英飞凌科技股份公司	Infineon

详细参数

型号：
IPI60R250CP
功能描述：
MOSFET COOL MOS N-CH 600V 0.250Ohms
RoHS：
否
制造商：
STMicroelectronics
晶体管极性：
N-Channel
汲极/源极击穿电压：
650 V
闸/源击穿电压：
25 V
漏极连续电流：
130 A 电阻汲极/源极
RDS（导通）：
0.014 Ohms
配置：
Single
安装风格：
Through Hole
封装/箱体：
Max247
封装：
Tube

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更多IPI60R250CP供应商更新时间2025-5-25 16:12:00

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