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IPD78CN10NG	文件：1.03396 Mbytes Page：12 Pages	Marking：78CN10N；Package：PG-TO252-3；N-channel, normal level Features •N-channel,normallevel •ExcellentgatechargexRDS(on)product(FOM) •Verylowon-resistanceRDS(on) •175°Coperatingtemperature •Pb-freeleadplating;RoHScompliant •QualifiedaccordingtoJEDEC1)fortargetapplication •Idealforhigh-frequencyswitchingandsynchr	InfineonInfineon Technologies AG 英飞凌英飞凌科技股份公司	Infineon
IPD78CN10NG	文件：2.093409 Mbytes Page：9 Pages	N-Channel 100 V (D-S) MOSFET	VBSEMIVBsemi Electronics Co.,Ltd 微碧半导体微碧半导体（台湾）有限公司	VBSEMI
IPD78CN10NG	文件：710.31 Kbytes Page：13 Pages	OptiMOS짰2 Power-Transistor	InfineonInfineon Technologies AG 英飞凌英飞凌科技股份公司	Infineon
IPD78CN10NGBUMA1	文件：1.03396 Mbytes Page：12 Pages	N-channel, normal level	InfineonInfineon Technologies AG 英飞凌英飞凌科技股份公司	Infineon
78CN10N	文件：1.03396 Mbytes Page：12 Pages	N-channel,normallevel Features •N-channel,normallevel •ExcellentgatechargexRDS(on)product(FOM) •Verylowon-resistanceRDS(on) •175°Coperatingtemperature •Pb-freeleadplating;RoHScompliant •QualifiedaccordingtoJEDEC1)fortargetapplication •Idealforhigh-frequencyswitchingandsynchr	InfineonInfineon Technologies AG 英飞凌英飞凌科技股份公司	Infineon
IIPD78CN10N	文件：336.37 Kbytes Page：2 Pages	N-ChannelMOSFETTransistor	ISCInchange Semiconductor Company Limited 无锡固电无锡固电半导体股份有限公司	ISC
IPD78CN10N	文件：336.37 Kbytes Page：2 Pages	N-ChannelMOSFETTransistor	ISCInchange Semiconductor Company Limited 无锡固电无锡固电半导体股份有限公司	ISC
IPU78CN10NG	文件：710.31 Kbytes Page：13 Pages	OptiMOS짰2Power-Transistor	InfineonInfineon Technologies AG 英飞凌英飞凌科技股份公司	Infineon

详细参数

型号：
IPD78CN10NG
制造商：
Infineon Technologies AG
制造商：
Rochester Electronics LLC
制造商：
Infineon Technologies AG
功能描述：
100V,13A,N Channel Power MOSFET

供应商	型号	品牌	批号	封装	库存	备注	价格
深圳市安富世纪电子有限公司	IPD78CN10NG	INFINEON/英飞凌	20+	PG-TO252-3	16300	终端可免费提供样品,欢迎咨询	询价
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更多IPD78CN10NG供应商更新时间2025-5-28 13:01:00

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