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IPD78CN10NG	文件：1.03396 Mbytes Page：12 Pages	丝印：78CN10N；Package：PG-TO252-3；N-channel, normal level Features • N-channel, normal level • Excellent gate charge x R DS(on) product (FOM) • Very low on-resistance R DS(on) • 175 °C operating temperature • Pb-free lead plating; RoHS compliant • Qualified according to JEDEC1) for target application • Ideal for high-frequency switching and synchr 文件：1.03396 Mbytes 页数：12 Pages	INFINEON 英飞凌	INFINEON
IPD78CN10NG	文件：710.31 Kbytes Page：13 Pages	OptiMOS짰2 Power-Transistor 文件：710.31 Kbytes 页数：13 Pages	INFINEON 英飞凌	INFINEON
IPD78CN10NG	文件：2.093409 Mbytes Page：9 Pages	N-Channel 100 V (D-S) MOSFET 文件：2.093409 Mbytes 页数：9 Pages	VBSEMI 微碧半导体	VBSEMI
IPD78CN10NGBUMA1	文件：1.03396 Mbytes Page：12 Pages	N-channel, normal level 文件：1.03396 Mbytes 页数：12 Pages	INFINEON 英飞凌	INFINEON

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更多IPD78CN10NG供应商更新时间2026-1-19 13:01:00