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IPB065N10N3	文件：244.66 Kbytes Page：2 Pages	IscN-ChannelMOSFETTransistor	ISCInchange Semiconductor Company Limited 无锡固电无锡固电半导体股份有限公司	ISC
IPB065N10N3G	文件：884.2 Kbytes Page：9 Pages	100VN-ChannelMOSFET Features •ExcellentgatechargexRDS(on)product(FOM) •Verylowon-resistanceRDS(on) •175°Coperatingtemperature •Pb-freeleadplating;RoHScompliant •Idealforhigh-frequencyswitchingandsynchronousrectification •VDS=100V •ID(atVGS=10V)=80A •RDS(ON)(atVGS=10V)	UMWUMW Rightway Semiconductor Co., Ltd. 友台友台半导体	UMW
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IscN-ChannelMOSFETTransistor

ISCInchange Semiconductor Company Limited

无锡固电无锡固电半导体股份有限公司

ISC

IPB065N10N3G

文件：884.2 Kbytes

Page：9 Pages

100VN-ChannelMOSFET

Features •ExcellentgatechargexRDS(on)product(FOM) •Verylowon-resistanceRDS(on) •175°Coperatingtemperature •Pb-freeleadplating;RoHScompliant •Idealforhigh-frequencyswitchingandsynchronousrectification •VDS=100V •ID(atVGS=10V)=80A •RDS(ON)(atVGS=10V)

UMWUMW Rightway Semiconductor Co., Ltd.

友台友台半导体

UMW

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MetalOxideSemiconductorFieldEffectTransistor

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英飞凌英飞凌科技公司

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