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IPB025N10N3G	文件：267.62 Kbytes Page：9 Pages	OptiMOS?? Power-Transistor Features • N-channel, normal level • Excellent gate charge x R DS(on) product (FOM) • Extremely low on-resistance R DS(on) • High current capability • 175 °C operating temperature • Pb-free lead plating; RoHS compliant • Qualified according to JEDEC1) for target application • Halogen-free 文件：267.62 Kbytes 页数：9 Pages	INFINEON 英飞凌	INFINEON
IPB025N10N3	文件：267.62 Kbytes Page：9 Pages	OptiMOS?? Power-Transistor Features • N-channel, normal level • Excellent gate charge x R DS(on) product (FOM) • Extremely low on-resistance R DS(on) • High current capability • 175 °C operating temperature • Pb-free lead plating; RoHS compliant • Qualified according to JEDEC1) for target application • Halogen-free 文件：267.62 Kbytes 页数：9 Pages	INFINEON 英飞凌	INFINEON
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IPB034N06L3GATMA1	文件：0 bytes Page：0 Pages	原厂封装	INFINEON 英飞凌上传：深圳市朱博士电子科技有限公司	INFINEON
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更多IPB025N10N3G供应商更新时间2026-7-27 23:00:00