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IPB180P04P4L-02

OptiMOS-P2 Power-Transistor

InfineonInfineon Technologies AG

英飞凌英飞凌科技股份公司

详细参数

  • 型号:

    IPB180P04P4L-02

  • 功能描述:

    MOSFET P-Channel MOSFET ’-40V -180A

  • RoHS:

  • 制造商:

    STMicroelectronics

  • 晶体管极性:

    N-Channel

  • 汲极/源极击穿电压:

    650 V

  • 闸/源击穿电压:

    25 V

  • 漏极连续电流:

    130 A 电阻汲极/源极

  • RDS(导通):

    0.014 Ohms

  • 配置:

    Single

  • 安装风格:

    Through Hole

  • 封装/箱体:

    Max247

  • 封装:

    Tube

供应商型号品牌批号封装库存备注价格
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22+
TO262-3
3000
原装正品,仓库现货
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2020+
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TO263-7
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TO-263
200
全新原装 正品现货
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SOT-263-7L
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INFINEON/英飞凌
24+
TO263-7
2000
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更多IPB180P04P4L-02供应商 更新时间2025-2-15 14:00:00