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IPB45N04S4L-08	文件：300 bytes Page：1 Pages	20V-650V汽车级MOSFET ·N-channel - Enhancement mode\n ·AEC qualified\n ·MSL1 up to 260°C peak reflow\n ·175°C operating temperature\n ·Green Product (RoHS compliant)\n ·100% Avalanche tested;	Infineon 英飞凌	Infineon
IPB45N04S4L-08	文件：165.42 Kbytes Page：9 Pages	OptiMOS-T2 Power-Transistor 文件：165.42 Kbytes 页数：9 Pages	Infineon 英飞凌	Infineon
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技术参数

RDS (on)(@4.5V LL) max：
10.6mΩ
QG(typical) ：
23.0nC
VDS max：
40.0V
ID max：
45.0A
RthJC max：
3.3K/W
Ptot max：
45.0W
IDpuls max：
180.0A
VGS(th) min max：
1.2V 2.0V

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更多IPB45N04S4L-08供应商更新时间2025-10-5 16:12:00

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