| 选定 | 供应商 | 型号 | 品牌封装 | 数量 | 批号 | 价格 | 说明/货期/品质/优势 | 询价 |
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深圳市特莱科技有限公司6年
留言
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INFINEON/英飞凌TO263 |
3689 |
21+23+ |
16年电子元件现货供应商 终端BOM表可配单提供样品 |
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贸泽芯城（深圳）电子科技有限公司5年
留言
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12000 |
22+ |
一级代理,专注军工、汽车、医疗、工业、新能源、电力 |
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深圳市坤融电子科技有限公司5年
留言
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INFINEON/英飞凌TO263 |
3689 |
22+ |
只做原装进口 免费送样!! |
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深圳市高捷芯城科技有限公司4年
留言
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Infineon(英飞凌)TO-263 |
8498 |
23+ |
支持大陆交货,美金交易。原装现货库存。 |
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深圳市亚泰盈科电子有限公司11年
留言
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INFINEONSOT-263 |
30216 |
提供BOM表配单TEL:0755-83759919QQ:2355705587杜S |
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深圳市雅芯通科技有限公司1年
深圳市雅芯通科技有限公司
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INFINEON/英飞凌N/A |
5000 |
24+ |
只做正品原装现货 |
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深圳市宏捷佳电子科技有限公司10年
留言
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InfineonTO263-3 |
12300 |
23+ |
全新原装真实库存含13点增值税票! |
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深圳市高捷芯城科技有限公司5年
留言
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Infineon(英飞凌)TO-263 |
25048 |
23+ |
原厂可订货,技术支持,直接渠道。可签保供合同 |
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深圳市得捷芯城科技有限公司5年
留言
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Infineon(英飞凌)TO-263 |
29316 |
23+ |
正规渠道,免费送样。支持账期,BOM一站式配齐 |
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深圳市艾宇欣科技有限公司3年
留言
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InfineonN/A |
2062 |
1931+ |
加我qq或微信，了解更多详细信息,体验一站式购物 |
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深圳市华瑞顺电子科技有限公司6年
留言
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INFINEON/英飞凌TO263 |
12800 |
22+ |
本公司只做进口原装!优势低价出售! |
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深圳市华博特电子有限公司6年
留言
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INFINEONTO263 |
2000 |
23/22+ |
全线可订货.含税开票 |
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深圳市正纳电子有限公司7年
留言
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Infineon(英飞凌)NA |
20094 |
23+ |
原装正品 可支持验货，欢迎咨询 |
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深圳市富安睿科技有限公司6年
留言
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英飞凌PG-TO263-3 |
6000 |
21+ |
绝对原裝现货 |
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深圳航星空电子技术有限公司2年
留言
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Infineon(英飞凌)标准封装 |
7000 |
23+ |
公司只做原装，可来电咨询 |
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中天科工半导体（深圳）有限公司13年
留言
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Infineon原装 |
65790 |
20+ |
原装优势主营型号-可开原型号增税票 |
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深圳市威雅利发展有限公司5年
留言
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INFINEONTO263 |
4500 |
18+ |
一级代理,专注军工、汽车、医疗、工业、新能源、电力 |
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深圳市福安瓯科技有限公司11年
留言
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INFINEON/英飞凌TO263 |
11220 |
23+ |
英飞凌优势原装IC,高效BOM配单。 |
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深圳市珩瑞科技有限公司3年
留言
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Infineon/英飞凌PG-TO263-3 |
10000 |
21+ |
原装,品质保证,请来电咨询 |
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深圳市易讯博科技有限公司4年
留言
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InfineonNA |
2000 |
22+ |
加我QQ或微信咨询更多详细信息, |
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IPB107N20NA价格：￥24.3731品牌：Infineon
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更多IPB107N20NA功能描述:MOSFET N-CH 200V 88A TO263-3 RoHS:是 类别:分离式半导体产品 >> FET - 单 系列:OptiMOS™ 标准包装:1,000 系列:MESH OVERLAY™ FET 型:MOSFET N 通道，金属氧化物 FET 特点:逻辑电平门 漏极至源极电压(Vdss):200V 电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C:18A 开态Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25° C:180 毫欧 @ 9A，10V Id 时的 Vgs(th)（最大）:4V @ 250µA 闸电荷(Qg) @ Vgs:72nC @ 10V 输入电容(Ciss) @ Vds:1560pF @ 25V 功率 - 最大:40W 安装类型:通孔 封装/外壳:TO-220-3 整包 供应商设备封装:TO-220FP 包装:管件
IPB107N20NAATMA1制造商:Infineon Technologies AG 功能描述:N-KANAL POWER MOS - Tape and Reel 制造商:Infineon Technologies AG 功能描述:MOSFET N-CH 200V 88A TO263-3
IPB107N20NAXT功能描述:MOSFET OptiMOS 3 Power Transistor RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube
