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IPB107N20NA	文件：694.75 Kbytes Page：10 Pages	OptiMOSTM3 Power-Transistor Features •N-channel,normallevel •ExcellentgatechargexRDS(on)product(FOM) •Verylowon-resistanceRDS(on) •175°Coperatingtemperature •Pb-freeleadplating;RoHScompliant •QualifiedaccordingtoAECQ101 •Halogen-freeaccordingtoIEC61249-2-21 •Idealforhigh-frequency	InfineonInfineon Technologies AG 英飞凌英飞凌科技公司	Infineon
IPB107N20NA	文件：189.24 Kbytes Page：2 Pages	Isc N-Channel MOSFET Transistor	ISCInchange Semiconductor Company Limited 无锡固电无锡固电半导体股份有限公司	ISC

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功能描述

制造商&上传企业

LOGO

IPB107N20NA

文件：694.75 Kbytes

Page：10 Pages

OptiMOSTM3 Power-Transistor

Features •N-channel,normallevel •ExcellentgatechargexRDS(on)product(FOM) •Verylowon-resistanceRDS(on) •175°Coperatingtemperature •Pb-freeleadplating;RoHScompliant •QualifiedaccordingtoAECQ101 •Halogen-freeaccordingtoIEC61249-2-21 •Idealforhigh-frequency

InfineonInfineon Technologies AG

英飞凌英飞凌科技公司

Infineon

IPB107N20NA

文件：189.24 Kbytes

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Isc N-Channel MOSFET Transistor

ISCInchange Semiconductor Company Limited

无锡固电无锡固电半导体股份有限公司

ISC

详细参数

型号：
IPB107N20NA
功能描述：
MOSFET N-CH 200V 88A TO263-3
RoHS：
是
类别：
分离式半导体产品 >> FET - 单
系列：
OptiMOS™
标准包装：
1,000
系列：
MESH OVERLAY™ FET
型：
MOSFET N 通道，金属氧化物 FET
特点：
逻辑电平门
漏极至源极电压(Vdss)：
200V 电流 - 连续漏极(Id) @ 25°
C：
18A 开态Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25°
C：
180 毫欧 @ 9A，10V Id 时的
Vgs(th)（最大）：
4V @ 250µA 闸电荷(Qg) @
Vgs：
72nC @ 10V 输入电容(Ciss) @
Vds：
1560pF @ 25V 功率 -
最大：
40W
安装类型：
通孔
封装/外壳：
TO-220-3 整包
供应商设备封装：
TO-220FP
包装：
管件

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