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IPB042N10N3G	文件：317.2 Kbytes Page：2 Pages	丝印：D2PAK；Package：TO-263；isc N-Channel MOSFET Transistor • FEATURES • With TO-263(D2PAK) packaging • Ultra-fast body diode • High speed switching • Very low on-resistence • Easy to use • 100 avalanche tested • Minimum Lot-to-Lot variations for robust device performance and reliable operationz • APPLICATIONS • Switching applications 文件：317.2 Kbytes 页数：2 Pages	ISC 无锡固电	ISC
IPB042N10N3G	文件：350.45 Kbytes Page：11 Pages	OptiMOS?? Power-Transistor Features • N-channel, normal level • Excellent gate charge x R DS(on) product (FOM) • Very low on-resistance R DS(on) • 175 °C operating temperature • Pb-free lead plating; RoHS compliant • Qualified according to JEDEC1) for target application • Ideal for high-frequency switching and synchr 文件：350.45 Kbytes 页数：11 Pages	INFINEON 英飞凌	INFINEON
IPB042N10N3G	文件：532.15 Kbytes Page：11 Pages	OptiMOS?? Power-Transistor 文件：532.15 Kbytes 页数：11 Pages	INFINEON 英飞凌	INFINEON
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更多IPB042N10N3G供应商更新时间2026-4-21 10:38:00