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IPB35N10S3L-26

OptiMOS??T Power-Transistor

InfineonInfineon Technologies AG

英飞凌英飞凌科技公司

IPB35N10S3L-26

Material Content Data Sheet

InfineonInfineon Technologies AG

英飞凌英飞凌科技公司

IPB35N10S3L-26_12

OptiMOS??T Power-Transistor

InfineonInfineon Technologies AG

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IPB35N10S3L-26_15

Material Content Data Sheet

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IPD35N10S3L-26

OptiMOS-TPower-Transistor

Features •N-channel-Enhancementmode •AutomotiveAECQ101qualified •MSL1upto260°Cpeakreflow •175°Coperatingtemperature •Greenproduct(RoHScompliant) •100Avalanchetested

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IPD35N10S3L-26

iscN-ChannelMOSFETTransistor

·FEATURES ·DrainCurrent–ID=35A@TC=25℃ ·DrainSourceVoltage- :VDSS=100V(Min) ·StaticDrain-SourceOn-Resistance :RDS(on)=24mΩ(Max) ·100avalanchetested ·MinimumLot-to-Lotvariationsforrobustdevice performanceandreliableoperation ·DESCRITION ·UltraLowOn-resistance ·F

ISCInchange Semiconductor Company Limited

无锡固电无锡固电半导体股份有限公司

详细参数

  • 型号:

    IPB35N10S3L-26

  • 功能描述:

    MOSFET MOSFET

  • RoHS:

  • 制造商:

    STMicroelectronics

  • 晶体管极性:

    N-Channel

  • 汲极/源极击穿电压:

    650 V

  • 闸/源击穿电压:

    25 V

  • 漏极连续电流:

    130 A 电阻汲极/源极

  • RDS(导通):

    0.014 Ohms

  • 配置:

    Single

  • 安装风格:

    Through Hole

  • 封装/箱体:

    Max247

  • 封装:

    Tube

供应商型号品牌批号封装库存备注价格
INFINEON/英飞凌
2021+
SOT-263
17235
原装进口假一罚十
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INENOI
21+
SOT263
12500
全新原装,价格优势
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Infineon(英飞凌)
22+
N/A
12000
一级代理,专注军工、汽车、医疗、工业、新能源、电力
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INFINEON/英飞凌
21+23+
TO-263
2500
16年电子元件现货供应商 终端BOM表可配单提供样品
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INFINEON/英飞凌
21+
TO-263
16300
全新原装现货
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Infineon(英飞凌)
23+
TO-263
8498
支持大陆交货,美金交易。原装现货库存。
询价
Infineon
18+
NA
3000
进口原装正品优势供应QQ3171516190
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23+
N/A
85400
正品授权货源可靠
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VB
2019
PG-TO263-3-2
55000
绝对原装正品假一罚十!
询价
英飞凌
21+
D2PAK (PG-TO263-3)
6000
绝对原裝现货
询价
更多IPB35N10S3L-26供应商 更新时间2024-5-8 16:43:00