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IPB45N06S3-16

OptiMOS-T Power-Transistor

文件:243.92 Kbytes 页数:9 Pages

Infineon

英飞凌

IPB45N06S3-16

MOSFET N-CH 55V 45A TO-263

Infineon

英飞凌

IPI45N06S3-16

OptiMOS-T Power-Transistor

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Infineon

英飞凌

IPP45N06S3-16

OptiMOS-T Power-Transistor

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Infineon

英飞凌

详细参数

  • 型号:

    IPB45N06S3-16

  • 功能描述:

    MOSFET N-CH 55V 45A

  • RoHS:

  • 制造商:

    STMicroelectronics

  • 晶体管极性:

    N-Channel

  • 汲极/源极击穿电压:

    650 V

  • 闸/源击穿电压:

    25 V

  • 漏极连续电流:

    130 A 电阻汲极/源极

  • RDS(导通):

    0.014 Ohms

  • 配置:

    Single

  • 安装风格:

    Through Hole

  • 封装/箱体:

    Max247

  • 封装:

    Tube

供应商型号品牌批号封装库存备注价格
INFINEON/英飞凌
24+
TO-263
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英飞凌
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5000
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INFINEON/英飞凌
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INFINEON
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PG-TO263-3D2-PAK(T
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更多IPB45N06S3-16供应商 更新时间2025-10-4 15:01:00